[实用新型]一种垂直腔面发射同轴封装光电器件

权利要求书

1.一种垂直腔面发射同轴封装光电器件，其特征在于，包括：

VCSEL激光器芯片(1)，用于进行光电转换；

Si基集成器件(2)，用于实现所述VCSEL激光器芯片(1)过渡块和出光功率检测；其中所述VCSEL激光器芯片(1)通过共晶焊接贴装在所述Si基集成器件(2)上；

TO底座(3)，其中所述Si基集成器件(2)通过共晶焊接贴装在TO底座(3)上；

TO帽(4)，用于与所述TO底座(3)气密耦合形成一个容纳所述VCSEL激光器芯片(1)和所述Si基集成器件(2)的空间；其中所述TO帽(4)顶部为一倾斜平面，所述倾斜平面上开设有出光窗口，用于射出所述VCSEL激光器芯片(1)发出的光；以及

平面玻璃(5)，通过密封胶粘合在所述倾斜平面上以堵住所述出光窗口，从而所述TO底座(3)、TO帽(4)和平面玻璃(5)形成一个密封空间，将所述VCSEL激光器芯片(1)和Si基集成器件(2)密封在其中。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射同轴封装光电器件，其特征在于，所述Si基集成器件(2)包括：

Si基板(12)，其中，Si基板(12)上表面包括探测器区域(6)和过渡块区域(8)这两个相邻的区域；

钝化层(11)，生长在所述过渡块区域(8)的所述Si基板(12)的上表面；

金层(9)，分别生在在所述过渡块区域(8)的所述钝化层(11)的上表面以及所述Si基板(12)的下表面；

Au/Sn焊料层(10)，分别生长在所述过渡块区域(8)的所述金层(9)的上表面以及所述Si基板(12)的下表面的金层的下表面；以及

电极层(7)，生长在所述探测器区域(6)的所述Si基板(12)的上表面。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射同轴封装光电器件，其特征在于，所述TO底座(3)和所述TO帽(4)的材料相同。

4.根据权利要求2所述的垂直腔面发射同轴封装光电器件，其特征在于，所述VCSEL激光器芯片(1)贴装在所述Au/Sn焊料层(10)上。

5.根据权利要求2所述的垂直腔面发射同轴封装光电器件，其特征在于，根据所述Si基板(12)掺杂的载流子浓度，所述Si基板(12)分为较厚的n型上层和较薄的n+型下层。

6.根据权利要求2所述的垂直腔面发射同轴封装光电器件，其特征在于，所述电极层(7)为方框环形的P型电极。

7.根据权利要求1所述的垂直腔面发射同轴封装光电器件，其特征在于，所述TO帽(4)的倾斜平面的倾斜角度为10～12°。