[实用新型]一种加热腔体及具有该加热腔体的去氢装置有效
申请号: | 201720399337.3 | 申请日: | 2017-04-17 |
公开(公告)号: | CN206610795U | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 谭朋利;齐之刚 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G09F9/00 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加热 具有 装置 | ||
技术领域
本申请涉及面板制作领域,尤其涉及一种加热腔体及具有该加热腔体的去氢装置。
背景技术
在面板制作工艺过程中,需要对面板进行去氢处理。通常是将面板从传送腔体传送至加热腔体内做去氢处理。然而,在传送腔体与加热腔体之间进行面板传送的过程中,由于传送腔体和加热腔体之间存在气压差,导致传送腔体中的微粒会随着气流涌入加热腔体内,进而导致加热腔体内的基板承载板会聚集较多的微粒,从而影响加热腔体的洁净度。
目前,提高加热腔体内的压力,可以降低加热腔体和传送腔体之间的压力差,从而能够在一定程度上解决基板承载板聚集较多微粒的问题。但是,由于加热腔体为真空加热腔体,压力升高对去氢能力存在一定不利影响,且还可能造成稳定性方面的隐患。
因此,如何在保证去氢能力的前提下,有效地防止加热腔体内聚集较多的微粒,是本领域技术人员需要解决的技术问题。
实用新型内容
本申请实施例提供一种加热腔体,用于解决现有技术中,不能在保证去氢能力的前提下,有效地解决加热腔体内聚集较多的微粒的问题。
本申请实施例还提供一种去氢装置,用于解决现有技术中,不能在保证去氢能力的前提下,有效地解决加热腔体内聚集较多的微粒的问题。
本申请实施例采用下述技术方案:
第一方面,本申请提供了一种加热腔体,所述加热腔体包括:
腔体,所述腔体具有开口;
设置于所述腔体内的基板承载板,以及
挡板,所述挡板位于所述开口和所述基板承载板之间,并能遮挡所述开口。
由于本申请中,挡板正对着加热腔体的开口,以对气流的流入起到阻碍作用,能够有效阻挡携带微粒的气流涌入腔体内甚至到达基板承载板上,对基板承载板上承载的基板的去氢能力不会产生不利地影响,因此可以在保证去氢能力的前提下,有效地解决加热腔体内聚集较多微粒的问题。
进一步的,所述挡板为可升降挡板,所述加热腔体还包括:
驱动所述可升降挡板升降的第一驱动装置,所述第一驱动装置的驱动端与所述可升降挡板连接。
进一步的,所述挡板为可伸缩挡板,所述可伸缩挡板包括:第一子挡板和与所述第一子挡板滑动连接的第二子挡板;
所述加热腔体还包括:
第二驱动装置,所述第二驱动装置的驱动端与所述第一子挡板连接,所述第二驱动装置构造为驱动所述第一子挡板相对所述第二子挡板滑动至预定位置时,所述第一子挡板遮挡所述开口。
进一步的,所述挡板为卷曲挡板,所述加热腔体还包括:
第三驱动装置,所述第三驱动装置的驱动端与所述卷曲挡板连接,
所述第三驱动装置构造为驱动所述卷曲挡板展开或卷曲,当所述卷曲挡板展开时,所述卷曲挡板遮挡所述开口。
进一步的,为了降低基板承载板的朝向开口的边缘的热耗散,及使基板承载板各边缘的温度均衡,所述基板承载板水平设置,所述挡板为第一加热板,所述加热腔体还包括:
第二加热板,所述第二加热板与所述第一加热板相对设置在所述基板承载板两侧。
进一步的,为了进一步使基板承载板各边缘的温度均衡,所述加热腔体还包括:
顶加热板和底加热板,所述顶加热板和底加热板平行于所述基板承载板设置,且所述基板承载板位于所述顶加热板和底加热板之间。
进一步的,为了确保加热腔体内的温度均衡,所述基板承载板的数量为M,所述M个基板承载板平行设置,
所述加热腔体还包括:M+1个第三加热板,所述M+1个第三加热板分别与所述M个基板承载板平行相间地设置,M为大于等于2的正整数。
进一步的,所述第一加热板可从所述开口处移除,所述加热腔体还包括:
左加热板和右加热板,所述左加热板和右加热板均与所述第二加热板相邻,且所述基板承载板位于所述左加热板和右加热板之间。
进一步的,为了确保基板承载板移动时周边温度均衡,所述第二加热板、所述第三加热板、左加热板和右加热板分别与所述基板承载板固定连接,以形成盒状结构。
进一步的,所述加热腔体还包括:
第四驱动装置,所述第四驱动装置的驱动端与所述M个基板承载板连接,
所述第四驱动装置构造为驱动所述M个基板承载板中的每一个依次移至所述开口处。
第二方面,本申请提供了一种去氢装置,所述装置包括:加热腔体、设置在所述加热腔体的开口上的门阀及通过所述开口与所述加热腔体连接的传送腔体;其中,所述加热腔体包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造