[实用新型]一种弧线形N电极及垂直结构LED芯片

权利要求书

1.一种弧线形N电极，其特征在于，包括插指和焊盘；所述焊盘为长方形；所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成；

所述边缘多边形插指同时为左右对称结构、上下对称结构；

所述焊盘和中心区域插指位于边缘多边形插指内部，均为左右对称结构，对称轴为边缘多边形插指的左右对称轴；所述中心区域插指的顶端与焊盘相接，并与焊盘长边垂直，底端与边缘多边形插指相接；

所述中心区域插指包括弧线形插指和垂直插指；所述垂直插指位于边缘多边形插指的左右对称轴上。

2.根据权利要求1所述的弧线形N电极，其特征在于，所述中心区域插指由两根垂直插指及一个圆环插指组成，所述圆环插指关于边缘多边形插指的左右对称轴对称；第一垂直插指连接圆环插指和焊盘；第二垂直插指连接圆环插指和边缘多边形插指。

3.根据权利要求2所述的弧线形N电极，其特征在于，所述圆环插指的半径范围是150um-250um。

4.根据权利要求1所述的弧线形N电极，其特征在于，所述中心区域插指由一根垂直插指及一条曲线插指组成；所述垂直插指连接曲线插指和焊盘；所述曲线插指与边缘多边形插指相接；所述曲线插指为一条开口向下的抛物线。

5.根据权利要求4所述的弧线形N电极，其特征在于，所述抛物线的方程是为y²＝kx，其中，0.5<k<2。

6.根据权利要求1所述的弧线形N电极，其特征在于，所述插指的宽度范围为4μm～11μm；所述焊盘的长边边长范围是50μm-100μm，短边边长范围是30um-80um。

7.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的弧线形N电极。

8.根据权利要求7所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，由下至上依次包括p电极层、反射层、电流阻挡层、外延层及弧线形N电极，所述电流阻挡层的形状与弧线形N电极的形状构成相似图形，所述流阻挡层的尺寸比弧线形N电极的尺寸大18％～25％；所述外延层由下至上依次包括P-GaN、量子阱和N-GaN。

9.根据权利要求8所述的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述p电极 层由下至上依次包括种子层、键合层、掺杂硅衬底层、防氧化层。