[实用新型]一种高性能双层石墨烯太赫兹波透射型调制器有效
| 申请号： | 201720380110.4 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN207799303U | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 周大朋;肖丙刚 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G02F1/19 | 分类号： | G02F1/19 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调制器 调制 二氧化硅 双层石墨 太赫兹波 衬底层 石墨烯 透射型 本实用新型 等效电路法 调制器结构 太赫兹信号 传输损耗 理论计算 五层结构 入射层 速率和 透射层 中间层 堆叠 硅基 宽带 紧凑 对称 吻合 均衡 观察 加工 | ||
【权利要求书】：
1.一种高性能双层石墨烯太赫兹波透射型调制器，其特征在于：由第一石墨烯层、第一二氧化硅层、硅基底中间层、第二二氧化硅层和第二石墨烯层由下往上叠置而成的五层对称结构。
2.根据权利要求1所述的一种高性能双层石墨烯太赫兹波透射型调制器，其特征在于：所述第一石墨烯层厚度为1nm。
3.根据权利要求1所述的一种高性能双层石墨烯太赫兹波透射型调制器，其特征在于：所述第一二氧化硅层，厚度为150nm。
4.根据权利要求1所述的一种高性能双层石墨烯太赫兹波透射型调制器，其特征在于：所述硅基底中间层，厚度为430um。
5.根据权利要求1所述的一种高性能双层石墨烯太赫兹波透射型调制器，其特征在于：所述第二二氧化硅层，厚度为150nm。
6.根据权利要求1所述的一种高性能双层石墨烯太赫兹波透射型调制器，其特征在于：所述第二石墨烯层，厚度为1nm。
7.根据权利要求1所述的一种高性能双层石墨烯太赫兹波透射型调制器，其特征在于：所述第一石墨烯层和第二石墨烯面积都为1cm*1cm；第一二氧化硅层和第二二氧化硅层面积为1cm*1cm；硅基底中间层的面积为1.2cm*1cm。
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