[实用新型]一种单臂两级调压深度的饱和电抗器有效

专利信息
申请号: 201720341040.1 申请日: 2017-04-01
公开(公告)号: CN206711723U 公开(公告)日: 2017-12-05
发明(设计)人: 熊炤行;宋世伟;徐煜;刘春昊 申请(专利权)人: 江西变压器科技股份有限公司
主分类号: H01F27/24 分类号: H01F27/24;H01F27/28;H01F27/26;H01F27/29
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 代理人: 戴继翔
地址: 330114 江西省南昌市经济*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 两级 调压 深度 饱和 电抗
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种单臂两级调压深度的饱和电抗器,属于整流变压器技术领域,尤其涉及补偿整流变压器中的阀侧电压的调节领域。

背景技术

目前,在电解铝的行业中,为了提高效率,开发了一种新型的整流变压器,即补偿整流变压器。原补偿系统采用补偿整流变压器加晶闸管结构,在使用过程中,当电解整流变压器突然停电时,补偿系统中的整流柜的晶闸管因承受不了耐受电压而损坏。为了保证整流柜的安全,用饱和电抗器代替晶闸管调压是行之有效的措施。饱和电抗器和晶闸管的调压原理是一样的,都是通过相控调压来改变阀侧电压,从而改变阀侧电流。随着电解铝产量的不断增加,饱和电抗器的调压深度与之相适应,在电解铝投产初时,饱和电抗器用调压深度小的,在满负荷时,饱和电抗器用调压深度大的,这样有利于提高电流调节的灵敏度。补偿整流变压器其特点是电压低,电流大。由于阀侧电压较低,饱和电抗器调压电压占的比值仍然比较大。对于调压为n(V)的饱和电抗器来说,其调压深度小,相控角小,产生的高次谐波电流少,调压为2n(V)的饱和电抗器来说,其调压范围大,但相控角大,产生的高次谐波电流大,因此调压深度的选择对高次谐波有较大的影响。

发明内容

本实用新型的目的在于提供了一种单臂两种调压深度饱和电抗器,有效地适应现场情况,提高运行效率,减少高次谐波。

本实用新型为了实现上述目的,采用如下技术方案:

一种单臂两级调压深度的饱和电抗器,该饱和电抗器它包括:上安装板、上部铁芯、中间隔板、下部铁芯、下安装板和支架;

所述上部铁芯位于上安装板与中间隔板之间;所述下部铁芯位于中间隔板与下安装板之间,所述下安装板安装在支架上。

进一步的,还包括有上绕组和下绕组,所述上绕组和下绕组为各自独立的绕组,均由三个绕组组成,分别为控制绕组、位移绕组、总控绕组组成,此三个绕组一起成形为U型;

上部电抗器的控制绕组、偏移绕组、总控绕组在上安装板相联接,下部电抗器的控制绕组、偏移绕组、总控绕组在下安装板相联接,形成绕组为2匝。

进一步的,上绕组和下绕组绕制成U型后分别上穿和下穿各自的铁芯,单个绕组通过焊接方式进行连接,形成每个绕组2匝;

把各绕组通过首尾相连串接起来,最终每个绕组形成两个出线头,所述控制绕组为:第一控制绕组、第二控制绕组;所述位移绕组为:第一位移绕组、第二位移绕组;所述总控绕组为:第一总控绕组和第二总控绕组。

进一步的,各绕组通过首尾相连串接起来,每个绕组形成两个出线头,上下绕组的出线头分别引到油箱上的第一出线盒或/和第二出线盒处。

若每组的调压深度为n(V),通过绕组的出头在外部串联后,便可实现2n(V)的调压深度。只用其中的一组,便可实现n(V)的调压深度,另一组则需短接接地,不能开路,以防感应产生的高电压。

本实用型专利的饱和电抗器的铁芯分为上下层,它们之间用层压木隔开,为了减少中间隔板的厚度,节约空间及操作方便,下部绕组在下安装板通过焊接方式进行连接。

本实用新型的有益效果:本实用新型有效地适应现场情况,提高运行效率,减少高次谐波。

附图说明

图1为本实用新型的饱和电抗器外形图,它放置在变压器油箱内;

图2为本实用新型中的的下绕组(8)示意图;

图3为本实用新型中的的上绕组(7)示意图;

图4为本实用新型的上绕组(7)与下绕组(8)的放置示意图;

图5为本实用新型的上层6个绕组的连接图;

图6为本实用新型的下层6个绕组的连接图;

图7为本实用新型的单层铁芯上绕组(7)连接原理图;

图8为本实用新型的单层铁芯下绕组(8)连接原理图;

图9为本实用新型的油箱示意图;

图10为本实用新型的上下电抗器连接示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型进行详细说明:

如图1所示:一种单臂两级调压深度的饱和电抗器,该饱和电抗器它包括:上安装板1、上部铁芯2、中间隔板3、下部铁芯4、下安装板5和支架6;

所述上部铁芯2位于上安装板1与中间隔板3之间;所述下部铁芯4位于中间隔板3与下安装板5之间,所述下安装板5安装在支架6上。

如图2、3所示:还包括有上绕组7和下绕组8,所述上绕组7和下绕组8为各自独立的绕组,均由三个绕组组成,分别为控制绕组、位移绕组、总控绕组组成,此三个绕组一起成形为U型;

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