[实用新型]一种基于压电膜的钙钛矿发光器件有效
申请号: | 201720340955.0 | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN206697526U | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 颜才满;李宗涛;汤勇;卢汉光;陈凯航;庄宝山 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L41/18;H01L51/56 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 压电 钙钛矿 发光 器件 | ||
技术领域
本实用新型涉及发光器件技术领域,尤其涉及一种基于压电膜的钙钛矿发光器件。
背景技术
自从1880 年,J.居里和P.居里兄弟在晶体中最早发现了材料的压电现象,开启了压电效应的大门,各种关于压电效应的研究开始迅速发展了起来。后来人们发现木材、羊毛和骨头等也具有压电性并开始了聚合物压电性的研究,开始合成压电高聚物,但它们压电性都很低,没有实用价值。直到 1969 年,日本的科学家报道了聚偏氟乙烯(PVDF)在高温高电压下极化后可产生比较高的压电性,有工业应用价值,从而使压电聚合物的研究发生了历史性的转折。压电薄膜的出现,使得压电效应的应用有了进一步的突破。
而近年来,钙钛矿量子点作为一种新型的荧光材料,由于其发射光谱广、半峰宽窄、光谱可调、量子产率高等优点,在发光二极管、屏幕显示等领域中显示出极大的潜力,引起了很多研究学者的关注。但是,现有的钙钛矿量子点同时也存在着稳定性差、分散性不足、容易团聚等缺点,限制了对钙钛矿量子点的进一步研究及应用。
在科学研究中,利用复合高分子聚合物结构对钙钛矿量子点进行包裹保护,制备高质量的量子点薄膜,能够达到既分散又稳定的效果。通过高分子聚合物包裹制备薄膜,得到稳定性好的高质量钙钛矿量子点薄膜,使得钙钛矿量子点达到稳定状态,扩大钙钛矿量子点的使用范围。
现阶段,压电薄膜主要应用于音频转换器,机电传感器,仿生领域等等,但是很少用于光学领域,尤其是发光器件。已有的压电效应指示发光器件,是利用压电效应,将机械能转化为电能,再通过一系列的放大电路进行放大,再接通发光器件进行指示。其过程繁琐复杂,工艺复杂,不能够一步到位。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足,提供了一种基于压电膜的钙钛矿发光器件。该压电发光器件稳定性好,灵敏度高,巧妙利用压电效应和钙钛矿量子点的受激发光原理,直接实现机械能与光能之间的能量转换。同时,钙钛矿量子点作为一种新型的荧光材料,具有发射光谱广、半峰宽窄、光谱可调、量子产率高、显色指数高等优点,可以充分实现高显色指数的效果,光学指示明显,可以直接可视化观察机械压力的效果,效果简单方便,并且实现了机械能到光能的转换,在指示灯、光电传感器、压力传感器等领域中具有重要的实际意义。
本实用新型通过如下技术方案实现。
一种基于压电膜的钙钛矿发光器件,由上至下,依次包括电极、空穴传输层、压电膜和ITO导电玻璃;在整体发光器件的的侧面设置有电源模块;所述电源模块分别与电极和ITO导电玻璃连接。
进一步地,在电源模块通电情况下,辅以外界压力作用,压电膜利用压电效应产生电势差,补充电压,使器件发光,发光强度和外界压力呈正相关关系。
更进一步地,所述电源模块通电为1-4V的直流电源。
更进一步地,所述外界压力为100-500N。
更进一步地,所述器件发光的发射光的半峰宽为20-40nm,波长范围为420-660nm。
进一步地,所述电极的厚度为50~100nm。
进一步地,所述电极的材料包括铝、铜、钛或镍。
进一步地,所述空穴传输层的厚度为50~100nm。
进一步地,所述空穴传输层的材料包括PEDOT(3,4-乙撑二氧噻吩聚合物)/PSS(聚苯乙烯磺酸盐)、NPB(N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-联苯-4,4’-二胺)、PVK(聚乙烯基咔唑)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、PolyTPD(聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺])、TAPC(4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺])、CuSCN(硫氰酸亚铜)和CuI(碘化亚铜)中的一种以上。
进一步地,所述压电膜的厚度为100-500nm。
进一步地,所述压电膜具有压电效应,压电应变常数d33为25-45pC/N。
进一步地,所述压电膜的材料包括钙钛矿量子点材料和压电材料。
更进一步地,所述压电材料包括聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯和聚氯乙烯中的一种以上。
更进一步地,所述钙钛矿量子点材料的化学式为ABX3,其中:A为Cs、CH3NH3和NH2-CH=NH2中的一种以上;B为Pb和Sn中的一种以上;X为Cl、Br和I中的一种以上。
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