[实用新型]一种三频超宽带基站天线有效

专利信息
申请号: 201720338234.6 申请日: 2017-04-01
公开(公告)号: CN206774669U 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 周献庭;杨元海;任现敏;董政 申请(专利权)人: 深圳国人通信股份有限公司
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/52;H01Q5/00
代理公司: 深圳市盈方知识产权事务所(普通合伙)44303 代理人: 周才淇,朱晓江
地址: 518000 广东省深圳市南山区高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 三频超 宽带 基站 天线
【说明书】:

【技术领域】

实用新型涉及移动通信基站天线技术领域,尤其是涉及一种三频超宽带基站天线。

【背景技术】

近年来,随着移动用户数量的急剧增长,通信系统在不断更新与扩容,对天线的设计提出越来越高的要求,一方面要求天线宽频化、多频化,以同时满足多个系统的通信要求;另一方面要求实现多系统共用天线,以减小天线间的干扰并降低成本。目前,三频超宽带天线是基站天线系统中常用的多系统天线之一,三频超宽带基站天线设计的核心问题就是不断地优化天线的实现形式,包括辐射单元的设计以及反射边界的优化,使得天线结构紧凑、体积小、重量轻,同时具有优异的辐射性能及宽频带特性,以满足新的技术指标要求。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于克服上述技术的不足,提供一种结构紧凑、体积小、重量轻、并具有较佳辐射性能和电路性能的三频超宽带基站天线。

本实用新型提供的一种三频超宽带基站天线,包括反射板、设置在反射板正面的辐射阵列以及设置在反射板背面的馈电网络,所述辐射阵列与所述馈电网络连接,所述辐射阵列包括一个低频辐射阵列和两个高频辐射阵列,所述两个高频辐射阵列对称分布于所述低频辐射阵列的两侧;所述低频辐射阵列包括N个低频辐射单元,所述N个低频辐射单元沿所述反射板的纵向间隔设置在所述反射板的正面;每个所述高频辐射阵列包括2N+1个高频辐射单元,所述2N+1个高频辐射单元沿所述反射板的纵向间隔设置在所述反射板的正面;所述N为大于或等于1的正整数。

进一步地,所述高频辐射阵列的相位中心与所述低频辐射阵列的相位中心位于同一水平线上。

进一步地,每个所述高频辐射阵列的两侧分别设有金属围边,所述两个金属围边固定到所述反射板的正面并关于所述高频辐射阵列对称,且与所述低频辐射单元不接触。

进一步地,所述两个金属围边之间的间距大于对应的所述高频辐射阵列的高频辐射单元的口径。

进一步地,所述低频辐射阵列中,相邻的两个所述低频辐射单元之间的间距是所述高频辐射阵列中相邻的两个所述高频辐射单元之间的间距的2.5倍。

进一步地,相邻的两个所述低频辐射单元之间设有L形金属隔离条,所述L形金属隔离条固定到所述反射板的正面。

进一步地,所述L形金属隔离条包括固定到所述反射板正面的水平部及竖直部,所述水平部的一端与所述竖直部连接,另一端朝向其中一个所述高频辐射阵列。

进一步地,所述N个低频辐射单元包括一个中心低频辐射单元,与所述中心低频辐射单元相邻的两个低频辐射单元的两侧分别设有Z形金属隔离条,所述Z形金属隔离条固定到所述反射板的正面,并位于对应一侧的相邻的两个所述高频辐射单元之间。

进一步地,所述高频辐射单元的上方设有金属引向片。

进一步地,所述反射板的纵向两侧边分别朝反射板的正面翻折形成竖直翻边。

本实用新型结构简单,易于组装,成本较低,通过一个低频辐射阵列和两个高频辐射阵列采用并排的排列方式,高频段和低频段间的相互影响较小,且高频段和低频段均具有较好的前后比、交叉极化比特性,水平面波束宽度收敛,同时具有高隔离度等良好的电路性能,保证了天线在较小尺寸下获得可满足目前移动通信系统对多频天线的指标要求。

【附图说明】

图1为本实用新型一实施例提供的一种三频超宽带基站天线的立体示意图;

图2是图1所示三频超宽带基站天线的俯视图;

图3是图1所示三频超宽带基站天线的侧视图;

图4为本实用新型另一实施例提供的一种三频超宽带基站天线的立体示意图;

图5是图4所示三频超宽带基站天线的俯视图。

【具体实施方式】

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。

参考图1、图2和图3,本实用新型提供的一种三频超宽带基站天线,包括反射板1、设置在反射板1正面的辐射阵列以及设置在反射板1背面的馈电网络。反射板1为一金属反射板。反射板1的纵向两侧边分别朝反射板1的正面翻折形成竖直翻边11。馈电网络用于对辐射阵列提供并联馈电。

辐射阵列包括一个低频辐射阵列2和两个高频辐射阵列3。低频辐射阵列2工作于790MHz-960MHz频段,高频辐射阵列3工作于1710MHz-2690MHz频段。低频辐射阵列2设置在反射板1正面的纵向轴线上。两个高频辐射阵列3对称分布于低频辐射阵列2的两侧。高频辐射阵列3的相位中心与低频辐射阵列2的相位中心位于同一水平线上。

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