[实用新型]一种新型mHEMT器件有效
| 申请号： | 201720335480.6 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN207269025U | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 黎明 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 mhemt 器件 | ||
1.一种新型mHEMT器件，其特征在于，所述器件外延结构由下至上依次包括衬底、缓冲层、复合沟道层、空间隔离层、平面掺杂层、势垒层和帽层；
所述缓冲层为多层应变缓冲层结构，主要包括15层周期重复变化的AlGaAs/GaAs结构；
所述复合沟道层从上至下包括不掺杂InGaAs沟道1、不掺杂InP沟道2和高掺杂InP沟道3，沟道1和沟道2两种结构减小了碰撞电离，有效的提高了够到中的击穿电场强度，沟道3用于低场下为二维电子气提供导电沟道；
所述帽层为高掺杂渐进帽层，用于为器件制备提供良好的欧姆接触，帽层两侧开设有沟槽，沟槽深度从帽层表面深入到复合沟道层，沟槽内设置隔离区；帽层上表面设置源极和漏极，栅极设置在所述源极和漏极中间，所述栅极金属为T型栅，下方深入到帽层内。
2.根据权利要求1所述的一种新型mHEMT器件，其特征在于：所述空间隔离层在沟道层In0.53Ga0.47As上生长，厚度为30至60Å，用于将施主杂质电离中心和2DEG空间隔离，减小电离散射作用，保证沟道内2DEG的高电子迁移率。
3.根据权利要求1所述的一种新型mHEMT器件，其特征在于：所述平面掺杂层生长在空间隔离层In0.52Al0.48As上生长，厚度为5至10Å，用于提供自由电子。
4.根据权利要求1所述的一种新型mHEMT器件，其特征在于：所述渐进帽层为InXGa1-XAs帽层，厚度为150-300 Å，其中包括若干层结构。
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