[实用新型]一种自举驱动电路以及开关电源电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体开关器件技术领域，尤其涉及一种自举驱动电路以及开关电源电路。

背景技术

在半导体开关器件中，通常采用RCD(Residual Current Device，剩余电流装置)吸收电路来吸收高频谐振。通过RCD吸收电路可以调整器件固有的寄生电容，但很难将其完全消除。加大谐振电容或是调整RC滤波中电容、电阻都可以降低谐振频率，但最终都不能完全消除谐振现象。因此，在一些对EMC(Electro Magnetic Compatibility，电磁兼容性)要求较高的应用场合，对振荡频率有严格要求，通常会使用磁珠改善EMC性能。

在开关电源中，如桥式电路中，上桥臂的驱动一般都是浮地的，使用自举驱动技术是一种低成本的解决方案。自举驱动一般使用一个自举电容和一个二极管组成，自举电容驱动电压与浮地驱动参考地有很大关系，当引入磁珠用于EMC性能改善之后，自举驱动会产生驱动电压异常的问题。图1所示为现有技术中使用自举驱动电路的开关电源电路的示意图。如图1所示，当二极管D2导通，电流急剧变大，会在磁珠L1上产生一个电压降，导致HS点对地电压为负，又因为自举驱动回路上阻抗很低，充电速度快，会使自举电容上电压充高，在一些恶劣的工况可能是电压超过MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体)管栅漏极耐压，损坏MOS管。

实用新型内容

本实用新型的目的在于针对现有技术当引入磁珠用于EMC性能改善之后，自举驱动会产生驱动电压异常的问题，提供一种自举驱动电路以及开关电源电路。

本实用新型为了达到上述目的，采用的技术方案是：一种自举驱动电路，应用于开关电源，所述开关电源包括串接在下桥臂的半导体开关器件回路的磁珠，且所述磁珠的第一端连接到所述开关电源中的上桥臂的半导体开关器件的第一端，所述自举驱动电路包括二极管、自举电容和第一电阻，所述二极管的正极连接于电压源的正极，所述二极管的负极连接于所述自举电容的第一端，所述自举电容的第二端经由所述第一电阻连接到所述磁珠的第一端。

优选地，自举驱动电压u_C、所述第一电阻的第二端与所述磁珠的第一端的连接点处的负脉冲幅值u_HS、所述自举电容的电容值c、所述第一电阻的阻值r和所述上桥臂的半导体开关器件管的栅极能承受的最大电压值u之间满足如下关系：

本实用新型还提供一种开关电源电路，包括电压源、自举驱动电路、上桥臂的半导体开关器件、下桥臂的半导体开关器件、磁珠，所述自举驱动电路包括二极管、自举电容和第一电阻，所述二极管的正极连接于所述电压源的正极，所述二极管的负极连接于所述自举电容的第一端，所述自举电容的第二端经由所述第一电阻连接到所述磁珠的第一端且连接到所述上桥臂的半导体开关器件的第一端，所述磁珠的第二端连接到所述下桥臂半导体开关器件的第一端，所述下桥臂半导体开关器件的第二端接地。

优选地，自举驱动电压u_C、所述第一电阻的第二端与所述磁珠的第一端的连接点处的负脉冲幅值u_HS、所述自举电容的电容值c、所述第一电阻的阻值r和所述上桥臂的半导体开关器件的栅极能承受的最大电压值u之间满足如下关系：

优选地，所述上桥臂的半导体开关器件的第二端与第二电阻和放大器连接，所述二极管的负极连接于所述放大器的第一输入端，所述自举电容的第二端连接于所述放大器的第二输入端，所述第二电阻连接于所述放大器的输出端和所述上桥臂的半导体开关器件的第二端之间。

优选地，所述下桥臂的半导体开关器件所在回路包括续流二极管，所述磁珠的第二端连接于所述续流二极管的负极，所述续流二极管的正极接地。

实施本实用新型实施例，具有如下有益效果：本实用新型通过在自举驱动回路上串联一个电阻，来加大自举驱动回路的充放电系数，进而避免了自举驱动电路电压异常偏高的问题。进一步的，通过将电阻和磁珠同时接入开关电源，可以有效地改善开关器件的高频谐振。

附图说明

下面将结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明，在附图中：

图1所示为现有技术中使用自举驱动电路的开关电源电路的示意图。

图2所示为本发明一实施例提供的使用自举驱动电路的开关电源电路的示意图。

具体实施方式