[实用新型]一种阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、设置于所述衬底上每个子像素中的双栅型氧化物TFT和显示用电极；所述双栅型氧化物TFT的漏极与所述显示用电极电连接；

还包括设置于所述衬底上的多晶硅TFT。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅TFT包括依次设置于所述衬底上的多晶硅有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极；所述多晶硅TFT的源极和所述漏极通过设置于所述栅绝缘层和所述层间绝缘层的第一过孔，与所述多晶硅有源层接触；

所述双栅型氧化物TFT的底栅极与所述多晶硅TFT的栅极同步形成。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层包括第一子层间绝缘层和第二子层间绝缘层，所述第二子层间绝缘层设置于所述第一子层间绝缘层远离所述衬底的一侧；

所述第一子层间绝缘层和所述第二子层间绝缘层还覆盖所述底栅极；

所述双栅型氧化物TFT的氧化物半导体有源层设置于所述第一子层间绝缘层和所述第二子层间绝缘层之间。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述双栅型氧化物TFT的顶栅极、源极和漏极设置于所述氧化物半导体有源层远离所述衬底的一侧；所述双栅型氧化物TFT的源极和漏极通过设置于所述第二子层间绝缘层上的第二过孔，与所述氧化物半导体有源层接触；

所述多晶硅TFT的源极和漏极以及所述双栅型氧化物TFT的顶栅极、源极和漏极同步形成。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括覆盖所述衬底的缓冲层；

所述双栅型氧化物TFT和所述多晶硅TFT均设置于所述缓冲层远离所述衬底的一侧。

6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底包括显示区域和周边区域；所述多晶硅TFT设置于所述周边区域；

所述双栅型氧化物TFT的底栅极和顶栅极与栅线电连接，所述双栅型氧化物TFT的源极与数据线电连接；

所述显示用电极为像素电极。

7.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底包括显示区域，所述多晶硅TFT和所述双栅型氧化物TFT设置于所述显示区域的每个子像素中；

所述显示用电极为阳极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶硅TFT的栅极与栅线电连接，所述多晶硅TFT的源极与数据线电连接，所述多晶硅TFT的漏极与所述双栅型氧化物TFT的底栅极和顶栅极电连接。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置于底栅极与所述衬底之间的多晶硅图案层；

所述多晶硅图案层在所述衬底上的正投影与所述底栅极在所述衬底上的正投影具有重叠区域；

其中，所述多晶硅图案层与所述多晶硅TFT的多晶硅有源层同步形成。

10.一种显示面板，包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。