[实用新型]单晶炉及其副室

说明书

技术领域

本实用新型涉及单晶生长技术领域，特别涉及一种单晶炉的副室，还涉及一种应用该副室的单晶炉。

背景技术

单晶炉是一种在惰性气体环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。

现有的单晶炉主要包括机架、主炉室、副室、副室提升机构、阀体、炉盖和晶体提拉机构。副室为圆筒状结构，副室连接于主炉室的炉盖上，阀体设置于副室和炉盖之间；晶体提拉机构穿过副室进入主炉室中，对仔晶进行提拉生成晶棒，晶棒完成后，提拉至副室中；副室提升机构能够将副室提升，使副室抬高离开主炉室，此时晶棒下端露出副室底部，通过夹持机构夹持晶棒下端，取出晶体。

单晶炉在进行晶体生产时，晶棒长度越长生产效率越高，而单晶炉的高度越高，晶棒的生长长度越长，但是，因工厂高度受到限制，导致副室不能提升至要求高度，副室底部离主炉室的高度过低，使长晶棒无法从副室中取出，从而限制了晶棒的生产长度。

综上所述，如何解决因场地高度限制导致长晶棒无法从副室中取出的问题，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种单晶炉的副室，在场地高度一定的情况下，以使长晶棒能够从副室中取出，增加长晶棒的生产长度，提高晶棒生产效率。

本实用新型的另一个目的在于提供一种应用该副室的单晶炉，以在相同场地高度的情况下，增加晶棒的生产长度，提高晶棒的生产效率。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

一种单晶炉的副室，所述副室为伸缩式结构。

优选地，在上述的副室中，所述副室包括：

刚性副室；

可轴向变形抗压副室，与所述刚性副室连接，用于轴向变形伸缩；

第一副室伸缩机构，所述第一副室伸缩机构的升降两端分别连接在所述可轴向变形抗压副室的两端。

优选地，在上述的副室中，所述可轴向变形抗压副室为伸缩波纹管。

优选地，在上述的副室中，所述可轴向变形抗压副室设置于所述刚性副室的一端或两端或中间位置。

优选地，在上述的副室中，所述第一副室伸缩机构包括：

电机，设置于所述可轴向变形抗压副室的一端；

丝杆，与所述电机的输出端传动连接；

螺纹套，设置于所述可轴向变形抗压副室的另一端，且与所述丝杆螺纹配合连接。

优选地，在上述的副室中，所述第一副室伸缩机构还包括减速机，所述丝杠通过所述减速机与所述电机的输出端传动连接。

优选地，在上述的副室中，所述副室包括：

至少两个可相对轴向移动套接的刚性副室；

第二副室伸缩机构，所述第二副室伸缩机构的升降两端分别连接所述副室的两端。

本实用新型还提供了一种单晶炉，包括副室、主炉室、提拉头和竖直机架，其特征在于，所述副室为以上任一项所述的副室，所述副室的底端连接于所述主炉室的炉盖上，所述副室的顶端与所述提拉头连接。

优选地，在上述的单晶炉中，所述副室的可轴向变形抗压副室的两端分别与所述刚性副室和所述提拉头连接，所述副室的第一副室伸缩机构的升降两端分别连接于所述提拉头和所述刚性副室上。

优选地，在上述的单晶炉中，所述提拉头通过转动支架水平转动连接于竖直机架上。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型提供的单晶炉的副室中，副室为伸缩式结构，因此，在工厂厂房高度和单晶炉整体高度一定的情况下，副室可以通过由下向上收缩，使副室远离主炉室，副室与主炉室之间的距离可以满足使用要求，将长晶棒的下端露出副室的底端，从而将长晶棒从副室中取出。可见该副室能够在厂房高度一定的情况下，增加晶棒的生产长度，提高了晶棒的生产效率。

本实用新型提供的单晶炉应用了本申请中的副室，因此，在相同场地高度的情况下，增加了晶棒的生产长度，提高晶棒的生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种单晶炉的副室的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种单晶炉的结构示意图。