[实用新型]用于无刷直流电机驱动芯片输出管的过流保护电路有效
申请号: | 201720322110.9 | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN206602355U | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | 邹燕文 | 申请(专利权)人: | 鑫雁电子科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H02H7/085 | 分类号: | H02H7/085 |
代理公司: | 杭州丰禾专利事务所有限公司33214 | 代理人: | 王晓峰 |
地址: | 200082 上海市杨*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 直流电机 驱动 芯片 输出 保护 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及无刷直流电机驱动芯片过流保护电路技术领域,具体地说,涉及一种用于无刷直流电机驱动芯片输出管的过流保护电路。
背景技术
无刷直流电机是在有刷直流电机的基础上发展起来的,由于其具有响应速度快、调节精度高、易于维护等优点,因而被广泛应用于多个技术领域。随着技术的不断发展,无刷直流电机驱动芯片的电流越来越大,为了保护驱动芯片,现有一般会在驱动芯片的输出管加一个过流保护电路,用以保护驱动芯片输出管不被流过的大电流烧毁。
如图1所示,为一种用于无刷直流电机驱动芯片输出管的过流保护电路。结合图1,其在芯片输出管M0的基础上增设了一个冗余输出管M1,控制信号同时输入给芯片输出管M0和冗余输出管M1,并且通过设计芯片输出管M0与冗余输出管M1的大小成一定比例而使得流过冗余输出管M1与芯片输出管M0的电流比例成1:N;另外,在冗余输出管M1的源极设置一采样电阻R,从而获取采样电压V1并输出给一比较器的正相端,该比较器的反相端设置一偏置电压Vref,该比较器的输出端用于控制一控制管M2的导通与否,该控制管M2接于芯片输出管M0的栅极与接地端之间;通过该种设计,使得当芯片输出管M0处的电流NI过大时,冗余输出管M1处电流I也相应较大,从而采样电压V1也较大,当采样电压V1大于偏置电压Vref时,比较器输出为高并控制控制管M2导通,此时芯片输出管M0的栅极电压被拉低,从而通过关断芯片输出管M0处电流而实现过流保护功能。
但是上述的一种电路设计存在以下问题:1、很难调节芯片输出管M0与冗余输出管M1的尺寸,使流过它们的电流比例是N:1,从而所制作处的器件离散性较大;2、采样电阻R的离散性也较大。故而该种设计很难对过流保护阈值进行较精确的设定。
实用新型内容
本实用新型的内容是提供一种用于无刷直流电机驱动芯片输出管的过流保护电路,其能够克服现有技术的某种或某些缺陷。
根据本实用新型的用于无刷直流电机驱动芯片输出管的过流保护电路,其包括芯片输出晶体管、传输晶体管和控制晶体管,传输晶体管用于将芯片输出晶体管的饱和压降作为采样电压传输至一比较器处,比较器用于将饱和压降与一偏置电压进行比较后对控制晶体管的栅极电压进行控制,控制晶体管用于对芯片输出晶体管的栅极电压进行控制。
本实用新型中,通过直接采集芯片输出晶体管的饱和压降作为采样电压,能够省去采样电阻和冗余输出管,从而能够较佳地控制过流保护阈值,较佳地避免了因器件离散型对过流保护阈值的影响。
作为优选,芯片输出晶体管和传输晶体管的栅极均用于接入控制信号,芯片输出晶体管的栅极还通过控制晶体管接入接地端。
作为优选,芯片输出晶体管和传输晶体管的栅极均通过不同的反相器接入控制信号。
作为优选,芯片输出晶体管、传输晶体管和控制晶体管均采用NMOS管,传输晶体管的漏极与芯片输出晶体管的漏极连接,传输晶体管的源极与比较器的正相端连接,比较器的反相端接入偏置电压,比较器的输出端接入控制晶体管的栅极,控制晶体管的漏极与芯片输出晶体管的栅极连接,控制晶体管和芯片输出晶体管的源极均接入接地端,控制信号同时接入芯片输出晶体管和传输晶体管的栅极。
附图说明
图1为采用冗余输出管的无刷直流电机驱动芯片过流保护电路的示意图;
图2为实施例1中的用于无刷直流电机驱动芯片输出管的过流保护电路的示意图。
具体实施方式
为进一步了解本实用新型的内容,结合附图和实施例对本实用新型作详细描述。应当理解的是,实施例仅仅是对本实用新型进行解释而并非限定。
实施例1
如图2所示,本实施例提供了一种用于无刷直流电机驱动芯片输出管的过流保护电路,其包括芯片输出晶体管M0、传输晶体管M2和控制晶体管M3,传输晶体管M2用于将芯片输出晶体管M0的饱和压降V0作为采样电压传输至一比较器U0处,比较器U0用于将饱和压降V0与一偏置电压Vref进行比较后对控制晶体管M3的栅极电压进行控制,控制晶体管M3用于对芯片输出晶体管M0的栅极电压进行控制。
本实施例中,芯片输出晶体管M0和传输晶体管M2的栅极均用于接入控制信号clt,芯片输出晶体管M0的栅极还通过控制晶体管M3接入接地端GND。芯片输出晶体管M0和传输晶体管M2的栅极均通过不同的反相器I1和I2接入控制信号clt。
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