[实用新型]一种GPP芯片刮涂玻璃浆的刮刀有效
申请号: | 201720310578.6 | 申请日: | 2017-03-28 |
公开(公告)号: | CN206628444U | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 高飞;李浩;魏兴政 | 申请(专利权)人: | 济南兰星电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/329 |
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地址: | 250200 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 gpp 芯片 玻璃 刮刀 | ||
技术领域
本实用新型属于台面二极管制造过程中所使用刮刀领域,尤其涉及一种GPP芯片刮涂玻璃浆的刮刀。
背景技术
在台面二极管的制造过程中,刀刮法是其中一种制作方法,也是目前台面制程中采用较多的一种方法,刀刮法是在最初时因为使用医用手术刀作为刮涂工具而得名,随着台面二极管行业的发展和市场对产品质量的不断提升,以及市场价格的走低,使用医用手术刀制作的方法越来越保证不了质量和成本的需求,使用医用手术刀制作,存在诸多弊端,首先,医用手术刀材质坚硬,刮涂时容易损伤芯片,其次,医用手术刀斜口较小,刮涂玻璃浆时不易将玻璃浆填充均匀。基于以上缺点,后来发展为使用四氟材料作为刮刀,四氟刮刀有了一定的进步,但仍然存在材质较硬,容易损伤芯片,弹性较差, 玻璃浆填充不均匀的问题。
实用新型内容
本实用新型针对上述的问题,提供了一种GPP芯片刮涂玻璃浆的刮刀。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为,本实用新型提供一种GPP芯片刮涂玻璃浆的刮刀,包括刮刀主体,所述刮刀主体上设置有斜口面,所述斜口面的倾斜度为30°-60°,所述刮刀主体由软质材料制成。
作为优选,所述斜口面的倾斜度为45°。
作为优选,所述刮刀主体的长度为80-120mm,宽度为60-100mm,厚度为6-12mm。
作为优选,所述刮刀主体的长度、宽度、厚度为110mm、95mm、10mm。
作为优选,所述软质材料为邵氏硬度A10-A80。
与现有技术相比,本实用新型的优点和积极效果在于,
1、本实用新型中刮刀主体采用软质的材料制作,即不会损伤芯片,且斜口制作可控、斜口面平整、有弹性,能保证沟槽充分填满玻璃浆,从而提升产品质量及效率;
2、刮刀主体长宽厚整体的设计,设计合理,操作方便。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为实施例1提供的GPP芯片刮涂玻璃浆的刮刀的立体结构示意图;
图2为实施例1提供的GPP芯片刮涂玻璃浆的刮刀的应用示意图;
以上各图中,1、刮刀主体;2、斜口面;3、玻璃浆;4、沟槽;5、晶片。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点,下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型,但是,本实用新型还可以采用不同于在此描述的其他方式来实施,因此,本实用新型并不限于下面公开说明书的具体实施例的限制。
实施例1,如图1、图2所示,本实用新型提供了一种GPP芯片刮涂玻璃浆的刮刀,包括刮刀主体1,其刮刀主体上设置了斜口面2,从图中可以看出,其刮刀主体是长方体是的设计,其斜口面的设置,则是将其中一个长方体上长棱切除,即得到了斜口面,从图2中可以看出,其斜口面则是用来涂刮玻璃浆的,发明人经过大量的试验得出,其斜口面的倾斜度为30°-60°之间;发明人为了解决由于刮刀主体过硬导致的芯片易损的问题,发明人选用软质材料作为刮刀主体的材料,其刮刀主体更加具有弹性,容易使玻璃浆将沟槽填满。
发明人经过大量的试验得出,当斜口面的倾斜度为45°时,是最为合理的,效果最好的。
其刮刀主体的长度为80-120mm,宽度为60-100mm,厚度为6-12mm,现在市面上用的刮刀厚度为5mm左右,本实用新型中设计的刮刀主体的厚度较厚,这样可以更好的使用和操作,刮刀主体的厚度可根据作业员操作舒适度调整。
其刮刀主体的长度、宽度、厚度为110mm、95mm、10mm时,也是最好合理的长宽厚。
本实用新型整体均是采用了软质的材料制成,其软质材料选用了邵氏硬度A10-A80,其邵氏硬度A10-A80,有弹性,并且耐磨、耐高温,其硅橡胶就具有上述效果。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非是对本实用新型作其它形式的限制,任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例应用于其它领域,但是凡是未脱离本实用新型技术方案内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型,仍属于本实用新型技术方案的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造