[实用新型]一种氮化镓薄膜和石墨烯薄膜有效
| 申请号： | 201720310168.1 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN207116374U | 公开（公告）日： | 2018-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘志斌 | 申请（专利权）人： | 刘志斌 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 215211 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 石墨 | ||
1.一种氮化镓薄膜，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底上形成有氮化镓缓冲层；
所述氮化镓缓冲层上依次形成有具有第一孔隙结构的石墨烯催化层和具有第二孔隙结构的石墨烯掩膜层，所述第一孔隙结构和所述第二孔隙结构相同；
所述石墨烯掩膜层的表面上以及所述石墨烯掩膜层的孔隙中裸露的所述氮化镓缓冲层的表面上外延生长有氮化镓层。
2.根据权利要求1所述的氮化镓薄膜，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底，所述硅衬底的晶面指数为(100)或(111)。
3.根据权利要求1所述的氮化镓薄膜，其特征在于，所述氮化镓缓冲层的厚度小于或等于2μm；
所述石墨烯催化层的厚度大于或等于0.2nm且小于或等于10nm；
所述石墨烯掩膜层的厚度大于或等于0.2nm且小于或等于2nm；
从所述氮化镓缓冲层面向所述半导体衬底的一侧表面至所述氮化镓层背离所述半导体衬底的一侧表面的厚度大于或等于5μm。
4.根据权利要求1所述的氮化镓薄膜，其特征在于，所述石墨烯催化层的组成材料包含Cu、Ni、Pt、Co、Ti和Fe中的任意一种，或者，所述石墨烯催化层的组成材料包含Cu、Ni、Pt、Co、Ti和Fe中的任意多种组成的合金。
5.一种石墨烯薄膜，其特征在于，包括：
半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成有具有第一孔隙结构的石墨烯催化层；
在所述石墨烯催化层上形成有具有第二孔隙结构的石墨烯层，所述第一孔隙结构和所述第二孔隙结构相同。
6.根据权利要求5所述的石墨烯薄膜，其特征在于，所述石墨烯催化层的组成材料包含Cu、Ni、Pt、Co、Ti和Fe中的任意一种，或者，所述石墨烯催化层的组成材料包含Cu、Ni、Pt、Co、Ti和Fe中的任意多种组成的合金。
7.根据权利要求5所述的石墨烯薄膜，其特征在于，所述石墨烯催化层的厚度大于或等于0.2nm且小于或等于10nm；所述石墨烯层的厚度大于或等于0.2nm且小于或等于2nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
