[实用新型]一种用于处理透明导电薄膜的装置有效
申请号: | 201720304905.7 | 申请日: | 2017-03-27 |
公开(公告)号: | CN207097541U | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 陈惠琄;禤志阳;陈小刚;贺梦琪;薛赛赛;杨柏儒 | 申请(专利权)人: | 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B5/14 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 528300 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 处理 透明 导电 薄膜 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及导电薄膜的工业处理领域,具体涉及一种用于处理透明导电薄膜的装置。
背景技术
柔性电子器件的发展及穿戴式装置的兴起,催生了对透明导电材料的需求。传统的透明导电薄膜是以氧化铟锡为主要制作材料,但是氧化铟锡的质地较脆,并且不具备可绕曲的性能,这使得其在柔性电子领域的应用受到了极大的限制。随着显示技术的发展及人们对高显示质量的追求,亟需找到一种能够替代氧化铟锡的材料。
科研和产业界都在积极开发新型透明导电材料,包括导电高分子、石墨烯和碳纳米管、金属网格以及金属纳米线等。在这些新型透明导电材料中,金属纳米线因为其良好的导电性、透光率、可弯曲性,被视为替代氧化铟锡的新型透明导电材而广泛地应用于透明导电薄膜的制作。据研究发现,透明导电薄膜中的金属纳米线间的间隙会影响整个透明导电薄膜的导电性能,若金属纳米线间的间隙过大则会造成金属纳米线之间难以形成互连网络,导致透明导电薄膜的接触电阻过高,从而影响透明导电薄膜的导电性。若想提高透明导电薄膜的导电性能,需使金属纳米线形成网络结构以提高金属纳米线网络的高导互连特性。传统的金属纳米线互连方法有通电焦耳加热、电子束加热、化学方法、压力方法。但上述加工处理方法使金属纳米线形成网络结构的程度低,并且加工效率低、不宜大面积生产,并不适用于工业化生产。
目前现有技术中尚未存在一种能够快速高效便捷处理金属纳米线的装置和方法,因此,亟需设计一种高效便捷的用于处理透明导电薄膜的装置。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种用于处理透明导电薄膜的装置,本实用新型提供的用于处理透明导电薄膜的装置采用流水线型设计,将用于盛放金属纳米线悬浮液容器、梅耶棒、加热装置、微波处理腔和滚轮设置在一条生产线上,依次对导电薄膜进行处理,操作简单高效。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种用于处理透明导电薄膜的装置,所述用于处理透明导电薄膜的装置包括传送装置,所述传送装置上设置有衬底,所述衬底的上方依次设置有用于盛放金属纳米线悬浮液容器、梅耶棒、微波处理腔和滚轮;所述容器的底部设置有若干滴头,所述容器与所述滴头相连通;所述梅耶棒和微波处理腔之间的传送装置的下方或其内部设置有加热装置;所述梅耶棒、微波处理腔和滚轮与衬底的距离为12~24μm,所述滴头与衬底的距离为1~5cm。
本实用新型将用于盛放金属纳米线悬浮液容器、梅耶棒、加热装置、微波处理腔和滚轮设置在一条生产线上,依次对导电薄膜进行处理,操作简单、加工效率高,适宜于工业化生产。
本装置实用新型提供的装置基于以下原理并结合工业流水线的生产需求进行了设计:
微波对于金属的穿透深度只能到达微米级的,但是对于金属纳米线来说,微米级足够大,金属纳米线的交叠处比金属纳米线的其他位置电阻要大很多,金属纳米线吸收微波并存在磁场引导电流,交叠处的温度比金属纳米线的其他位置温度要高,实现纳米线间的连接。微波处理后,使用表面平整度小于导电膜厚度的滚轮,滚轮压力对金属网格进行滚压,使没受到微波影响的金属纳米线能够连接起来或连接得更加牢固。
优选地,所述梅耶棒、微波处理腔和滚轮与衬底的距离为12~24μm。
优选地,所述滴头与衬底的距离为1~5cm。
优选地,所述传送装置的长度为1~5m,宽度为1~2m。
优选地,所述微波处理腔的长度与传送装置的宽度一致,宽度为0.5~1m。
优选地,所述滚轮的长度与所述传送装置的宽度一致,所述滚轮的直径为1~5cm。
优选地,所述滴头的数量为7个,所述滴头并排设置并与所述梅耶棒平行。
优选地,所述滚轮的表面平整度为0~6μm。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:
本实用新型提供的用于处理导电薄膜装置采用流水线型设计,多道处理工艺能够在一条生产线上连续进行处理,操作简单、加工效率高,适宜于工业化生产。本实用新型提供的装置借助微波与金属纳米线间的响应及滚轮对金属纳米线的滚压,改善纳米线间的接触特性,降低接触电阻,从而改善薄膜的导电性能。
附图说明
图1为本实用新型实施例1提供的一种用于处理透明导电薄膜的装置的示意图。
具体实施方式
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