[实用新型]离子注入跑片机

说明书

技术领域

本实用新型涉及离子注入跑片机，特别涉及一种离子注入跑片机。

背景技术

硅太阳能电池在被暴露至来自太阳的太阳辐射时产生电能。该辐射与硅原子交互作用并形成电子和空穴，所述电子和空穴迁移到硅本体中的p离子掺杂区和n离子掺杂区，并在掺杂区之间产生电压差和电流。取决于用途，太阳能电池已经与集中元件集成以提高效率。太阳辐射使用将所述辐射引导至活性光伏材料的一个或更多部分的集中元件来积累和聚焦。尽管有效，但是这些太阳能电池仍有很多限制。

仅仅作为一个实例，太阳能电池依赖诸如硅的起始材料。这种硅通常使用多晶硅(即多晶体的硅)和/或多晶硅材料制成。这些材料通常难以制造。多晶硅电池通常通过制造多晶硅板来形成。尽管这些板可以有效地形成，但是它们不具备高效太阳能电池的最佳性能。单晶硅具有高级太阳能电池的适当性能。然而，这种单晶硅价格昂贵，还难以按照高效且成本有效的方式用于太阳能用途。此外，多晶硅材料和单晶硅材料在传统制造过程中均遭受称为“刮线损失"的材料损失，其中，出于铸件或生长晶锭并将材料单片化成晶片形式的因素，锯割工艺消除起始材料的多达40％甚至达到60％。这是制备用作太阳能电池的薄多晶硅或单晶硅板的非常低效的方法。

通常，薄膜太阳能电池通过使用较少的硅材料是价格较不昂贵的，但是它们的非晶或多晶结构与由多晶磕衬底制成的更昂贵的体硅相比效率较低。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术的上述缺陷，提供一种离子注入方便、快速、成本低、制作的硅片质量好的离子注入跑片方法。

为解决现有技术的上述缺陷，本实用新型提供的技术方案是：一种离子注入跑片方法，包括以下步骤：

A)将多个硅片排列成一列或n列放入硅片托盘上，每列硅片的排放方向是硅片托盘的行进方向，每两个硅片之间具有一定的间隙，每两个硅片之间的间隙相同，每列硅片之间垂直于硅片托盘行进方向的间隔大于一个硅片的横向尺寸，在硅片的正上方盖上一个可以切换位置的隔板，在隔板上间隔设置有两排或2n排供不同离子通过的通孔，两排或2n排通孔的位置在硅片行进方向上相互交叉错开；

B)多个载有硅片的硅片托盘同时由多个输送带装置从进出片腔(或真空过渡腔室)输送至缓冲区，缓冲区内的硅片托盘从上至下逐个依次输送至水平输送装置上，水平输送装置的输送带的中部设置离子注入设备，缓冲区内的硅片托盘输送出的个数达到一定个数时，输送带装置再一次性输送与送出的托盘个数相同的硅片托盘从进出片腔(或真空过渡腔室)到缓冲区内；离子注入设备将其中一种离子从隔板的其中一排或n排通孔逐片注入到硅片托盘上的硅片上；

C)硅片托盘上的硅片经过离子注入设备注入其中一种离子后输送到切换区，所述切换区内由下至上依次设有多个用于叠放已经注入其中一种离子的硅片托盘的托盘支架、及将水平输送装置输送过来的硅片托盘逐个输送至托盘支架上的垂直皮带输送装置、及将水平输送装置输送过来的硅片托盘逐个推向垂直皮带输送装置上的水平推动装置；所述切换区内的硅片托盘存放满料后，停止水平输送装置送料；

D)所述切换区内还设有用于水平推动隔板、使隔板的另一排通孔对准硅片托盘上的硅片正上方的隔板孔切换装置；当水平输送装置反向输送硅片托盘时，隔板孔切换装置将硅片托盘上的隔板推向另一侧边，使隔板的另一排通孔对准硅片托盘上的硅片正上方，

E)硅片托盘反向输送至离子注入设备的位置时，离子注入设备将另一种离子从隔板的另一排通孔注入硅片托盘上的硅片上；由于隔板上的两排或n排通孔是在硅片行进方向上相互错开的，因此，两种离子均可以注入到硅片上而不会重合；

F)硅片托盘上的硅片注入两种离子后，输送回缓冲区，缓冲区的垂直皮带输送装置逐个将水平输送装置输送的硅片托盘输送至缓冲区内，当缓冲区的上方放入了足够个数的托盘时，输送带装置将多个托盘同时输送出至进出片腔(或真空过渡腔室)，完成离子注入。

作为本实用新型离子注入跑片方法的一种改进，步骤C和步骤E所述的离子为n﹢型离子或p﹢型离子，如果步骤C注入的离子是n﹢型离子，则步骤E注入的离子是p﹢型离子，如果步骤C注入的离子是p﹢型离子，则步骤E注入的离子是n﹢型离子。

作为本实用新型离子注入跑片方法的一种改进，所述硅片托盘输送入和输送出时，所述缓冲区和所述切换区内均由真空装置抽真空，所述缓冲区和所述切换区在硅片托盘输送入和输送出时的真空度一致。

作为本实用新型离子注入跑片方法的一种改进，所述输送带装置每次输送入和输送出所述硅片托盘的个数为5个。