[实用新型]一种P型晶体硅电池结构

权利要求书

1.一种P型晶体硅电池结构，其特征在于，由正面至背面依次包括：透明导电薄膜(1)、局部金属电极(9)、正面减反射膜(2)、正面钝化膜(3)、N型掺杂层(4)、P型晶硅基体(5)、第一背面钝化膜(6)、第二背面钝化膜(7)、局部背场(11)和背面正电极(8)；电池正面的透明导电薄膜(1)与局部金属电极(9)接触用于将收集的电子横向传导，并通过穿透电池片的过孔电极(10)导入电池背面的负极区域；电池背面的背面正极(8)和局部背场(11)分布于过孔电极(10)以外的区域，局部背场(11)与背面正电极(8)部分重叠。

2.根据权利要求1所述的P型晶体硅电池结构，其特征在于，所述的局部金属电极(9)穿透正面减反射膜(2)及正面钝化膜(3)，与N型掺杂层(4)形成欧姆接触，透明导电膜(1)将局部金属电极和过孔电极连接为一个整体，构成电子收集器；局部背场(11)通过第一背面钝化膜(6)及第二背面钝化膜(7)上开设的背面开窗部分与P型硅基体(5)形成欧姆接触，同时与背面正电极(8)熔接，构成空穴收集器。

3.根据权利要求1所述的P型晶体硅电池结构，其特征在于，所述的背面正电极(8)为栅线状，栅线的个数为3～15根，单个栅线的宽度为0.5～5mm。

4.根据权利要求1所述的P型晶体硅电池结构，其特征在于，所述的透明导电薄膜的材料为ITO、ZAO、GZO、IWO、FTO及石墨烯中的一种或多种薄膜的叠层，其厚度为50～500nm。

5.根据权利要求1所述的P型晶体硅电池结构，其特征在于，所述的局部金属电极(9)为阵列图形，阵列图形包括类一维图形和/或二维图形，所述的类一维图形包括线段、虚线段、弧线、栅线状；所述二维图形包括：圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形、扇形；所述类一维图形的线宽为20～200um，长度为0.05～1.5mm；同一行中相邻两个线形的间距为0.5～2mm，同一列中相邻两个线形的间距为0.5～2mm；所述二维几何图形的尺寸均为20～200um，相邻两个图形中心距为0.5～2mm。

6.根据权利要求1所述的P型晶体硅电池结构，其特征在于，所述的过孔电极(10)设置在P型硅片上的通孔中，通孔在厚度方向贯通整个P型硅片，通孔内壁为N型掺杂层(4)和钝化膜；通孔按等行距等列距阵列排布，单个通孔的直径为100～500um，每行或每列数量为4～10个。

7.根据权利要求1所述的P型晶体硅电池结构，其特征在于，所述的局部金属电极(9)和背面正电极(8)的材质为银、铝、铜、镍中的一种或多种金属合金。

8.根据权利要求1所述的P型晶体硅电池结构，其特征在于，所述的电池片为整片P型单/多晶电池，或分片后的P型单/多电池。