[实用新型]一种大功率槽栅门级T‑MOSFET结构有效
| 申请号： | 201720294819.2 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN206961833U | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张学强;张振中;和巍巍;汪之涵 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 栅门 mosfet 结构 | ||
1.一种大功率槽栅门级T-MOSFET结构，包括P-阱，槽栅门级，N+源区，源级，绝缘层，N-漂移区，漏级，其特征在于，所述T-MOSFET中槽栅门级的转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。
2.如权利要求1所述的大功率槽栅门级T-MOSFET结构，其特征在于，所述阶梯状结构至少包括2个子阶梯。
3.如权利要求1所述的大功率槽栅门级T-MOSFET结构，其特征在于，每个子阶梯的转角曲率相同或不同。
4.如权利要求1所述的大功率槽栅门级T-MOSFET结构，其特征在于，所述子阶梯中位于槽栅门级最深处的子阶梯弧度曲率最小。
5.如权利要求1所述的大功率槽栅门级T-MOSFET结构，其特征在于，所述子阶梯的外轮廓形状相同或不同。
6.如权利要求1所述的大功率槽栅门级T-MOSFET结构，其特征在于，所述子阶梯的外轮廓为弧形、曲线形、折线形或这三类形状的任意组合。
7.如权利要求1所述的大功率槽栅门级T-MOSFET结构，其特征在于，所述子阶梯的数量k需满足[0.5μm*(k-1)]<Wmin；所述Wmin为所述槽栅门级的总深度Wy和总宽度Wx的中的较小值。
8.如权利要求7所述的大功率槽栅门级T-MOSFET结构，其特征在于，所述子阶梯为深度和宽度相同的单一子阶梯。
9.如权利要求7所述的大功率槽栅门级T-MOSFET结构，其特征在于，每个子阶梯的深度和/或宽度不同，深度不超过Wy/k，宽度不超过Wx/k。
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