[实用新型]一种非隔离型的可控硅控温电路及温控器有效

专利信息
申请号: 201720290992.5 申请日: 2017-03-24
公开(公告)号: CN206573909U 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 刘崇杰 申请(专利权)人: 刘崇杰
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042;G05D23/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 261000 山东*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 隔离 可控硅 电路 温控
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于控温电路技术领域,尤其是涉及一种用于电热毯、热敷包的非隔离型的可控硅控温电路及温控器。

背景技术

目前,公知的非隔离型定时调温开关是通过可控硅控制单线断开实现定时停止加热、调温等功能,但是在待机时仍然存在触电可能性,特别用在带定时功能的电热毯、热敷包产品中,通常使用1小时后进入停止加热状态,但发热体电阻仍然带电,存在安全隐患。

为了克服现有的非隔离型的可控硅调温、控温开关在待机时存在的安全隐患,本发明人对此进行大量研究试验,专门开发一种非隔离型的可控硅控温电路,可以同时断开双线(火线、零线),安全性好。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种非隔离型的可控硅控温电路,在带有定时功能的电热毯、热敷包产品进入停止加热状态时,同时断开双线(火线、零线),安全性好。

为达到上述技术目的,本实用新型的技术方案是:

一种非隔离型的可控硅调温电路,包括发热体电阻、单片机、光耦、第一双向可控硅和第二双向可控硅,所述发热体电阻的两端分别连接第一双向可控硅的T2极和第二双向可控硅的T2极,所述第一双向可控硅的T1极连接零线,所述第二双向可控硅的T1极连接火线;

所述第一双向可控硅的控制极连接第一电阻,所述第一电阻的另一端连接单片机的IO接口;

所述第二双向可控硅的控制极连接所述光耦的第六引脚,所述第二双向可控硅的T2极连接第二电阻,所述第二电阻的另一端连接所述光耦的第四引脚,所述光耦的第二引脚连接第三电阻,所述第三电阻的另一端连接所述单片机的IO接口,所述光耦的第一引脚连接电源。

作为一种改进,所述单片机的芯片型号为MC32p7311。

作为一种改进,所述光耦的型号为MOC3023。

作为一种改进,所述第一双向可控硅和第二双向可控硅的型号均为BT131。

作为一种改进,所述光耦的第一引脚连接5V直流电源。

本实用新型还提供一种温控器,所述温控器包括上述非隔离型的可控硅调温电路。

由于采用上述技术方案,本实用新型的有益效果是:

本实用新型提供的非隔离型的可控硅调温电路,单片机的IO接口发出低电平信号时,通过第一电阻触发第一双向可控硅,使得第一双向可控硅导通,发热体电阻连通零线,通过第三电阻开通光耦,触发电流通过第二电阻触发第二双向可控硅,使得第二双向可控硅导通,发热体电阻连通火线,此时发热体电阻通电发热;当单片机的IO接口发出高电平信号时,第一双向可控硅不导通,光耦和第二双向可控硅也不导通,发热体电阻两端分别与零线和火线断开,实现双线开路,安全性好。

本实用新型设置光耦控制第二双向可控硅的通断,极大提高了电路的可靠性,并且可防止第二双向可控硅的误触发,电路中第一电阻、第二电阻和第三电阻均起到限流保护作用。

附图说明

图1是本实用新型实施例的电路结构图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

如图1所示,一种非隔离型的可控硅调温电路,包括发热体电阻RL、单片机MCU、光耦U、第一双向可控硅TR1和第二双向可控硅TR2,发热体电阻RL的两端分别连接第一双向可控硅TR1的T2极和第二双向可控硅TR2的T2极,第一双向可控硅TR1的T1极连接零线ACN,第二双向可控硅TR2的T1极连接火线ACL;

第一双向可控硅TR1的控制极连接第一电阻R1,第一电阻R1的另一端连接单片机MCU的IO接口;

第二双向可控硅TR2的控制极连接光耦U的第六引脚,第二双向可控硅TR2的T2极连接第二电阻R2,第二电阻R2的另一端连接光耦U的第四引脚,光耦U的第二引脚连接第三电阻R3,第三电阻R3的另一端连接单片机MCU的IO接口,光耦U的第一引脚连接5V电源。

本实施例中,单片机MCU的芯片型号为MC32p7311,光耦U的型号为MOC3023,第一双向可控硅TR1和第二双向可控硅TR2的型号均为BT131,实际市面上还有其他一些型号的设备也能实现本实用新型的目的,在此仅指出一个适用的具体型号来说明本实施例,实际应用中可以采用其他型号的设备,在此非是具体限定。

本实施例在具体应用中,第一电阻R1的阻值为510欧姆,第二电阻R2的阻值为3300欧姆,第三电阻R3的阻值为510欧姆,当然仅是具体说明,非为具体限定。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于刘崇杰,未经刘崇杰许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720290992.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top