[实用新型]一种多级互锁带死区的MOSFET管门级驱动电路

权利要求书

1.一种多级互锁带死区的MOSFET管门级驱动电路，其特征在于：包括光耦电路、逻辑门电路、RCD电路和MOSFET驱动电路；

外部输入的两路互补的控制信号PWM1H和PWM1L作为光耦电路的输入，由光耦电路进行光耦隔离后输出两路信号OUT1H、OUT1L，光耦电路的输出作为逻辑门电路的输入，逻辑门电路对输入的两路信号进行同步处理输出两路信号OUT2H、OUT2L，逻辑门电路的两路输出作为RCD电路的两路输入，RCD电路对同步后的信号产生死区，输出两路信号OUT3H、OUT3L作为MOSFET驱动电路的两路输入，由MOSFET驱动电路输出不同时为高的两路信号。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：所述的光耦电路包括两路相同的处理电路，每路包含芯片TLP115A、三个电阻、一个电容；PWM1H和PWM1L两路输入信号分别串联一个电阻后接入芯片TLP115A的正极和负极，芯片TLP115A的VCC端接工作电源、GND端接地，并且VCC端和GND端之间并联一个电容，芯片TLP115A的输出端分成两路，一路作为光耦电路的输出，一路串联电阻后接工作电源。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：所述的RCD电路包括电阻R28、R32、电容C18、C20二极管D11、D12；

信号OUT2H串联电阻R28后作为输出OUT3H、电阻R28的两端并联二极管D11，二极管的负极连接信号OUT2H；电容C18一端连接二极管D11的正极，一端接地；

信号OUT2L串联电阻R32后作为输出OUT3L、电阻R32的两端并联二极管D12，二极管的正极连接信号OUT2L；电容C20一端连接二极管D12的负极，一端接地。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：所述的逻辑门电路包括一个与非门芯片74VHC1G132DFT1和或门芯片74VHC1G32DFT1；

OUT1H作为与非门芯片74VHC1G132DFT1的两路相同的输入信号，与非门芯片74VHC1G132DFT1的输出信号OUT2H和另外一路输入信号OUT1L作为或门芯片74VHC1G32DFT1的两路输入信号。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于：MOSFET驱动电路选用IRS2103S。