[实用新型]散热良好的导磁薄片

说明书

技术领域

本实用新型属于无线充电技术领域，尤其涉及一种散热良好的导磁薄片。

背景技术

无线充电技术也称非接触感应式充电，利用电磁波感应原理或磁共振方式充电，通过在受电装置和供电装置的两侧设置线圈利用产生的电磁感应或频率共振的方式来实现无线充电。目前越来越多的便携设备的充电技术逐渐变为非接触式，当快速充电或大电流的场合，势必会造成充电线圈和导磁材料发热，作为无线充电用的非晶材料和纳米晶材料，薄带状态下的磁导率和饱和磁感都满足要求，但是，在高频下的损耗主要来自于涡流损耗，导致充电线圈的耦合效率低，涡流损耗较大，不能直接作为导磁材料应用。作为屏蔽功能使用满足要求，需要采用后处理工艺降低涡流损耗，减小导磁材料的面积可以降低涡流损耗，也就是把非晶纳米晶导磁薄片整体片材进行小单元分割，单体小单元下的磁通小，面积小，涡流小，同时，断开了整个导磁片面积内的大循环涡流，使得耦合后的损耗降低，发热减少，此工艺要求相对复杂，生产效率低。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述技术问题，而提供一种散热良好的导磁薄片，从而实现避免产品发热现象。为了达到上述目的，本实用新型技术方案如下：

散热良好的导磁薄片，包括依次叠合设置的离型膜、复合纳米晶本体、石墨片、麦拉层和保护膜；所述复合纳米晶本体包括若干纳米晶层，各所述纳米晶层间隔双面胶贴合设置，所述复合纳米晶本体底面通过双面胶贴合至所述离型膜，所述复合纳米晶本体表面通过双面胶贴合至所述石墨片，所述石墨片的外边缘小于所述双面胶和所述麦拉层的外边缘，所述保护膜设有凸出于所述麦拉层的拉手部。

具体的，所述纳米晶层包括依次层叠相对应的第一纳米晶层、第二纳米晶层、和第三纳米晶层。

具体的，所述双面胶包括粘合所述第一纳米晶层和所述离型膜的第一胶层、粘合所述第一纳米晶层和所述第二纳米晶层的第二胶层、粘合所述第二纳米晶层和所述第三纳米晶层的第三胶层、粘合于所述第三纳米晶层上的第四胶层和第五胶层。

具体的，所述第五胶层的外边缘大于所述复合纳米晶本体的外边缘。

具体的，所述麦拉层的厚度为5-7μm。

具体的，所述保护膜为硅胶制成。

与现有技术相比，本实用新型散热良好的导磁薄片的有益效果主要体现在：通过将复合纳米晶本体和双面胶结合使其具有良好的导磁性；在第五胶层上设置石墨片有效的导热散热，保护复合纳米晶本体的功能稳定性；在石墨片外侧设置麦拉层和保护膜，方便贴合后撕除，使用快捷；提高生产效率，良品率得到有效控制。

附图说明

图1是本实用新型实施例的结构示意图之一；

图2是本实施例的结构示意图之二；

图中数字表示：

1 离型膜、2 复合纳米晶本体、21 第一纳米晶层、22 第二纳米晶层、23 第三纳米晶层、3 双面胶、31 第一胶层、32 第二胶层、33 第三胶层、34 第四胶层、35 第五胶层、4 石墨片、5 麦拉层、6 保护膜、61 拉手部。

具体实施方式

下面结合附图将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

实施例：

参照图1-2所示，本实施例是散热良好的导磁薄片，包括离型膜1、复合纳米晶本体2、双面胶3、石墨片4、麦拉层5和保护膜6；离型膜1为L型结构。离型膜1内部上层贴合设有复合纳米晶本体2。复合纳米晶本体2包括若干纳米晶层，纳米晶层包括依次层叠相对应的第一纳米晶层21、第二纳米晶层22、第三纳米晶层23。双面胶3包括粘合第一纳米晶层21和离型膜1的第一胶层31、粘合第一纳米晶层21和第二纳米晶层22的第二胶层32、粘合第二纳米晶层22和第三纳米晶层23的第三胶层33、粘合于第三纳米晶层23上的第四胶层34和第五胶层35。第一胶层31、第二胶层32、第三胶层33、第四胶层34的外边缘分别与复合纳米晶本体2的外边缘相对应。第五胶层35的外边缘大于复合纳米晶本体2的外边缘。第一胶层31的厚度为5μm，第二胶层32的厚度为3μm，第三胶层33的厚度为3μm，第四胶层34的厚度为5μm，第五胶层35的厚度为5μm。