[实用新型]一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201720289445.5 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN206602116U | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 黎明;陈汝钦 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 衬底 沟道 赝配异质结 场效应 晶体管 | ||
1.一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，由下至上依次包括：衬底、低温GaAs晶格应变缓冲层、梯度GaAsySb1-y晶格应变缓冲层、AlGaSb缓冲层、InGaSb沟道层、AlSb隔离层、P型AlGaSb势垒层、分别位于P型AlGaSb势垒层两端侧的第一P型GaSb帽层和第二P型GaSb帽层，还包括形成于第一P型GaSb帽层上的源极和形成于第二P型GaSb帽层上的漏极，以及形成于第一P型GaSb帽层与第二P型GaSb帽层之间且位于P型AlGaSb势垒层上的栅极。
2.根据权利要求1所述的基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，所述衬底具体为P型衬底，采用Si、SiC、GaN、蓝宝石、金刚石中的任意一种材料。
3.根据权利要求1所述的基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，所述低温GaAs晶格应变缓冲层的厚度为400～800nm。
4.根据权利要求1所述的基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，所述梯度GaAsySb1-y晶格应变缓冲层的厚度为400～800nm。
5.根据权利要求1所述的基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，所述AlGaSb缓冲层的厚度为100～400nm。
6.根据权利要求1所述的基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，所述InGaSb沟道层的厚度为15～30nm，所述InGaSb沟道层与P型AlGaSb势垒层在接触处5nm区域形成二维空穴气。
7.根据权利要求1所述的基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，所述AlSb隔离层的厚度为2～5nm。
8.根据权利要求1所述的基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，所述P型AlGaSb势垒层的厚度为15～40nm。
9.根据权利要求1所述的基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，所述第一P型GaSb帽层和第二P型GaSb帽层的厚度均为15～50nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都海威华芯科技有限公司，未经成都海威华芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720289445.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
