[实用新型]一种副栅线渐变的太阳能电池正面电极有效
申请号: | 201720285265.X | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN206595265U | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 李硕;万松博;王栩生;涂修文;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 张海英,林波 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 副栅线 渐变 太阳能电池 正面 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种副栅线渐变的太阳能电池正面电极。
背景技术
太阳能电池正面栅线是用来收集光照下电池表面溢出的电流,并把它输运到终端电路的金属结构,目前多使用电阻率低的银浆,通过丝网印刷的方式形成正面电极。较佳的电极设计应满足遮光小、浆料消耗少、电阻损耗低等特点。目前商业上使用较多的是H型梳状电极,该电极有3~5根较粗的主栅线和约100根极细的副栅线。
在晶硅太阳能电池的商业生产中,经常需要采用扩散工艺形成电池pn结,在扩散炉中,由于受硅片放置位置和气流分布不均的影响,磷源(n型)在硅片表面分布不均,例如中间磷源少,四周磷源多。这就造成了扩散面方阻差异,例如中间方阻高,向四周递减,如图1所示,同心圆内区域I、II、III的方阻大小为:I>II>III。但扩散的均匀性直接影响电池的效率,因而在生产中,常常需要采用四探针法测量扩散面不同位置的方阻,以此来检测扩散均匀性。
然而,副栅线间距的选取与方阻有关,方阻大时,为减少发射区的横向电阻,一般副栅线较密集,副栅线间距较小;方阻小时,横向电阻减小,可以增大副栅线间距,减小遮光率以增加光照面积,提高短路电流。当前工业生产的常规电极结构,如图2所示,由于其副栅间距固定不变,因而未考虑到电池不同位置的方阻分布不均情况。
现有中国专利文献CN 203983301U公开了一种太阳能电池片的正面电极结构,其副栅线包括矩形区域a、回型区域b、两个相同的矩形区域c和回型区域d,各个区域内栅线间距相等,不同区域由a至d栅线间距依次增大,回型区域b和矩形区域c外围设有连接副栅线;其目的在于提供一种副栅线与扩散方阻相匹配的太阳能电池片的正面结构,但其仅适应于四主栅线电极,不利于未来多主栅电池的升级;且其电极外观与常规电极有肉眼可辨的差别,无法与常规电池搭配成组件。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种副栅线渐变的太阳能电池正面电极,其通过不同扩散方阻下不同副栅线间距的搭配,合理降低遮光率,减少银浆用量,提高电池转化效率。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种副栅线渐变的太阳能电池正面电极,包括边框、纵向间隔设置于所述边框内的多条主栅线、横向间隔设置于所述边框内并垂直于所述主栅线的若干条副栅线,所述边框在纵向的中心线设为A线,所述A线平行于所述副栅线和所述边框的边缘副栅线,位于所述A线两侧的所述副栅线对称设置,在所述A线的任一侧,
沿着所述A线向所述边缘副栅线的方向,将所述A线至所述边缘副栅线之间的区域划分为至少两个区域,且靠近所述A线的一个所述区域中的相邻两条所述副栅线之间的间距小于远离所述A线的另一个所述区域中的相邻两条所述副栅线之间的间距。
作为一种优选,每个所述区域中的相邻两条所述副栅线之间的间距保持不变。
作为一种优选,沿着所述A线向所述边缘副栅线的方向,靠近所述A线的一个所述区域中的相邻两条所述副栅线之间的间距保持不变,远离所述A线的其他所述区域中的相邻两条所述副栅线之间的间距逐渐增大。
进一步地,间距保持不变的区域中的相邻两条所述副栅线之间的间距小于与该区域相邻的另一区域中的相邻两条所述副栅线之间的最小间距。
作为一种优选,沿着所述A线向所述边缘副栅线的方向,靠近所述A线的一个所述区域中的相邻两条所述副栅线之间的间距逐渐增大,远离所述A线的其他所述区域中的相邻两条所述副栅线之间的间距保持不变。
进一步地,间距逐渐增大的区域中的相邻两条所述副栅线之间的最大间距小于与该区域相邻的另一区域中的相邻两条所述副栅线之间的间距。
作为一种优选,沿着所述A线向所述边缘副栅线的方向,每个所述区域中的相邻两条所述副栅线之间的间距均逐渐增大。
进一步地,任意两个相邻所述区域中,靠近所述A线的一个所述区域中的相邻两条所述副栅线之间的最大间距小于远离所述A线的其他所述区域中的相邻两条所述副栅线之间的最小间距。
优选的,靠近所述A线的区域设为第一区域,所述第一区域为所述A线至距离所述A线20~50mm处的区域,所述第一区域以外并远离所述A线的其他区域设为第二区域。
优选的,所述第一区域中的相邻两条所述副栅线之间的间距为1.3mm~1.8mm,所述第二区域中的相邻两条所述副栅线之间的间距为1.4mm~2.0mm;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的