[实用新型]低压无功补偿装置有效
申请号: | 201720285036.8 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN206611183U | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 何志兵 | 申请(专利权)人: | 昆明惠尔电器设备有限公司 |
主分类号: | H02J3/18 | 分类号: | H02J3/18 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人: | 郑自群 |
地址: | 650051 *** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低压 无功 补偿 装置 | ||
1.一种低压无功补偿装置,其特征在于,包括控制电路板,所述控制电路板包括微处理器、电容器、过零投切电路、投切控制电路、通信接口、键盘、显示模块、电压电流采集电路、数据存储模块和电源电路,所述投切控制电路、通信接口、键盘、显示模块、电压电流采集电路、数据存储模块和电源电路均与所述微处理器连接,所述电容器通过所述过零投切电路与所述投切控制电路连接;
所述电压电流采集电路包括三极管、MOS管、第一电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻,所述三极管的基极分别与所述第一电阻的一端和第五电阻的一端连接,所述第一电阻的另一端接地,所述三极管的发射极通过所述第六电阻接地,所述三极管的集电极分别与所述第二电阻的一端和第一电容的一端连接,所述第二电阻的另一端连接直流供电电源,所述第一电容的另一端与所述MOS管的栅极连接,所述MOS管的源极接地,所述MOS管的漏极通过所述第三电阻分别与所述第五电阻的另一端和第四电阻的一端连接,所述第四电阻的另一端与所述微处理器的AD端口连接。
2.根据权利要求1所述的低压无功补偿装置,其特征在于,所述电压电流采集电路还包括第七电阻,所述MOS管的源极通过所述第七电阻接地。
3.根据权利要求1或2所述的低压无功补偿装置,其特征在于,所述电压电流采集电路还包括第二电容,所述三极管通过所述第二电容分别与所述第一电阻的一端和第五电阻的一端连接。
4.根据权利要求3所述的低压无功补偿装置,其特征在于,所述电压电流采集电路还包括第八电阻,所述第八电阻的一端与所述第五电阻的另一端连接,所述第八电阻的另一端与所述第四电阻的一端连接。
5.根据权利要求4所述的低压无功补偿装置,其特征在于,所述电压电流采集电路还包括第九电阻,所述第九电阻的一端与所述第四电阻的一端连接,所述第九电阻的另一端连接电压传感器的输出端或电流传感器的输出端。
6.根据权利要求5所述的低压无功补偿装置,其特征在于,所述三极管为NPN型三极管,所述MOS管为N沟道MOS管。
7.根据权利要求1所述的低压无功补偿装置,其特征在于,所述通信接口为RS232接口、RS485接口或RS422接口。
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