[实用新型]一种新型低漏电流高效率逆变器拓扑结构

权利要求书

1.一种新型低漏电流高效率逆变器拓扑结构，包括直流侧分裂电容稳压电路，NPC 拓扑钳位电路和RCD吸收电路，共同构成逆变器拓扑结构。

2.如权利要求1所述的一种新型低漏电流高效率逆变器拓扑结构，其特征在于：所述的直流侧分裂电容稳压电路包括输入电压Ude，稳压电容Cde1，大功率三极管Sd1,大功率三极管Sd2，钳位二极管Dd1和钳位二极管Dd2，输入电压Ude正极一端，稳压电容Cde1的一端，大功率三极管Sd1的集电极与钳位二极管Dd1的阳极相连，输入电压Ude负极一端，稳压电容Cde1的另一端，大功率三极管Sd2的发射极与钳位二极管Dd2的阴极相连，大功率三极管Sd2的集电极与大功率三极管Sd1的发射极相连。

3.如权利要求1所述的一种新型低漏电流高效率逆变器拓扑结构，其特征在于：所述的RCD吸收电路包括分裂电容C1，分裂电容C2，二极管VD1，二极管VD2，电阻R1，电阻R2，电感L1，电感L2，电阻R1的一端，二极管VD1的正极与直流侧分裂电容稳压电路中的钳位二极管Dd1的阴极相连，电阻R1的另一端，二极管VD1的阴极与电感L1的一端相连，电感L1的另一端与分裂电容C1的一端相连，分裂电容C1的另一端，分裂电容C2的一端，直流侧分裂电容稳压电路中的大功率三极管Sd1的集电极与直流侧分裂电容稳压电路中的大功率三极管Sd1的发射极相连，电阻R2的一端，二极管VD2的阴极与直流侧分裂电容稳压电路中的钳位二极管Dd2的阳极相连，电阻R2的另一端，二极管VD2的阳极与电感L2的一端相连，电感L2的另一端与分裂电容C2的另一端相连。

4.如权利要求1所述的一种新型低漏电流高效率逆变器拓扑结构，其特征在于：所述的NPC 拓扑钳位电路包括中点钳位正单元开关管Sp1，中点钳位正单元开关管Sp2，中点钳位正单元开关管Sp3，开关管S8，开关管S7,电感L3，电容C3,中点钳位负单元开关管Sn1,中点钳位负单元开关管Sn2，中点钳位负单元开关管Sn3，中点钳位正单元开关管Sp1的一端，开关管S8的一端，RCD吸收电路中的电阻R1的一端，RCD吸收电路中的二极管VD1的阳极与直流侧分裂电容稳压电路中的钳位二极管Dd1的阴极相连，中点钳位负单元开关管Sn1的一端，开关管S7的一端，RCD吸收电路中的电阻R2的一端，RCD吸收电路中的二极管VD2的阴极与直流侧分裂电容稳压电路中的钳位二极管Dd2的阳极相连，中点钳位负单元开关管Sn2的一端，中点钳位负单元开关管Sn1的一端与中点钳位负单元开关管Sn3的一端相连，中点钳位负单元开关管Sn2的另一端，电容C3的一端与开关管S8的另一端相连，中点钳位正单元开关管Sp2的一端，电感L3的一端与开关管S7的另一端相连，中点钳位正单元开关管Sp2的另一端，中点钳位正单元开关管Sp1的另一端与中点钳位正单元开关管Sp3的一端相连，电感L3的另一端与电容C3的另一端相连，中点钳位负单元开关管Sn3的另一端，中点钳位正单元开关管Sp3的另一端，RCD吸收电路中的分裂电容C1的一端，RCD吸收电路中的分裂电容C2的一端，直流侧分裂电容稳压电路中的大功率三极管Sd1的发射极与直流侧分裂电容稳压电路中的大功率三极管Sd2的集电极相连。