[实用新型]一种SOT25引线框架有效

专利信息
申请号: 201720276996.8 申请日: 2017-03-21
公开(公告)号: CN206595251U 公开(公告)日: 2017-10-27
发明(设计)人: 罗天秀;樊增勇;许兵;李宁;张明聪 申请(专利权)人: 成都先进功率半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 四川力久律师事务所51221 代理人: 王芸,熊晓果
地址: 611731 *** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 sot25 引线 框架
【说明书】:

本案要求了2016年3月21日提交的中国实用新型专利,申请号为:201620214678.4的优先权。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体封装制造技术,特别是一种SOT25引线框架。

背景技术

引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体,作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路,并与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生的热量,构成散热通道,它是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。芯片封装形式为SOT25(SOT是小型电子元器件的芯片封装单元型号,25表示封装后单个芯片的引脚为5个,其中一边引脚为3个,另外一边为2个,且封装后的单个芯片封装部为立方体形结构,其尺寸为长2.9mm、宽1.6mm,高0.96mm),如何在相同尺寸的框架上合理布置封装形式为SOT25的芯片,以更合理地利用框架基体、得到更为合理的材料利用率成为急需解决的问题。

另一方面,现在的引线框架结构在封装芯片后,其导电质量并不能长期满足芯片使用需求,需要进一步设计框架结构。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于:针对现有SOT25芯片安装框架基体材料利用率低、使用成本高,框架结构不能保证芯片安装后的导电质量的问题,提供一种SOT25引线框架,通过将3个单个芯片安装部集成为一个芯片安装单元,这样就可以大大节省框架空间,能布置更多的芯片安装部,提高材料的利用率、降低生产成本;特别设计的极性分隔支撑台,提高芯片安装后的导电质量和分极效果,保证芯片的优异性能。

为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:

一种SOT25引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,在所述框架上设置有多个与SOT25封装形式相适应的芯片安装部,3个芯片安装部为一排组成一个芯片安装单元,所述框架的尺寸为长300±0.01mm、宽93±0.01mm,在框架上布置有24列、18排芯片安装单元,在芯片安装单元的列与列之间设有单元分隔槽或封装定位孔,所述芯片安装部上还设有极性分隔支撑台,当芯片安装在芯片安装部后,形成正负极分极导电结构。

本引线框架通过将3个单个芯片安装部集成为一个芯片安装单元,再将芯片安装单元规则安装在框架上,这样就可以大大节省框架空间,能布置更多的芯片安装部,提高材料的利用率、降低生产成本;而在芯片安装部上特别设计的极性分隔支撑台,能在芯片安装部上形成正极和负极分极导电的结构,大大提高芯片安装后的导电质量和分极效果,保证芯片的优异性能。

作为本实用新型的优选方案,所述芯片安装单元的尺寸为长10.9±0.01mm、宽4.2±0.01mm。由于SOT25封装后的尺寸为长2.9mm、宽1.6mm,将芯片安装单元的尺寸设计为长10.9mm、宽4.2mm完全满足使用需求,也满足将3个单个芯片安装部呈一排布置的形式,且留有足够的芯片引脚焊接位置;芯片安装单元在框架上布置24列、18排,由于芯片安装单元的尺寸为长10.9mm、宽4.2mm,10.9*24=261.6mm,4.2*18=75.6mm,小于框架的长宽尺寸,完全满足布置需求,这样得到的单个芯片安装部的数量为:24*18*3=1296,即可在该框架上布置1296个芯片,大大提高框架的使用率。

作为本实用新型的优选方案,在芯片安装部上还设有多个导电支撑台,所述导电支撑台设置在极性分隔支撑台的两端。在极性分隔支撑台两端分别设置导电支撑台,进一步保证导电效果和分极导电质量。

作为本实用新型的优选方案,所述芯片安装部及芯片安装单元均为矩形,且长边均与框架的长边平行布置。将芯片安装部和芯片安装单元的长边与框架的长边平行布置,利于布置更多的芯片安装部。

作为本实用新型的优选方案,在每个芯片安装部上设置两个极性分隔支撑台,两个所述极性分隔支撑台分别设置在芯片安装部的短边侧。在每个芯片安装部上设置两个极性分隔支撑台,且是设置在靠近其短边的两侧,即相对设置,利于对芯片的平衡安装支撑。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都先进功率半导体股份有限公司,未经成都先进功率半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720276996.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top