[实用新型]有机发光二极管显示装置有效
| 申请号: | 201720274509.4 | 申请日: | 2017-03-21 |
| 公开(公告)号: | CN206610811U | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
| 发明(设计)人: | 刘振宇;龚立伟;林熙乾 | 申请(专利权)人: | 宸鸿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾台北市内湖*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包含:
一基板,具有相对的一上表面及一下表面;
一主动元件阵列,配置在该基板的该上表面的一侧;
至少一有机发光二极管,配置在该基板上,该有机发光二极管包含:一第一电极,配置于邻近该主动元件阵列的一侧;一第二电极,与该第一电极相对设置;以及一有机发光层,夹设于该第一电极与该第二电极之间;
一光吸收层,配置于该有机发光二极管与该基板的该上表面之间,或配置于该基板的该下表面;以及
一封装板,配置于该第二电极上方。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该第一电极及该第二电极在可见光波长范围的平均穿透率大于0.6。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该第一电极在可见光波长范围的平均反射率小于0.3,而该第二电极在可见光波长范围的平均穿透率大于0.6。
4.根据权利要求2或3所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该光吸收层完全覆盖该主动元件阵列,且该光吸收层在可见光波长范围的平均反射率小于0.3。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,还包含一密封层,配置于该封装板与该基板之间,且围绕该主动元件阵列以及该有机发光二极管。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,还包含一电性连接元件,其中该基板还包含一信号线,该电性连接元件电性连接该信号线。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该电性连接元件与该有机发光层分别配置在该密封层的相对两侧。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该光吸收层为绝缘材料所制成,且配置在该主动元件阵列与该第一电极之间以覆盖并接触该主动元件阵列,其中该光吸收层具有至少一通孔,该主动元件阵列以及该第一电极通过该通孔中所填充的导电材料来电性连接。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该光吸收层配置在该主动元件阵列与该基板的该上表面之间。
10.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包含:
一基板,具有相对的一上表面及一下表面;
一主动元件阵列,配置在该基板的该上表面的一侧;
至少一有机发光二极管,配置在该主动元件阵列上,该有机发光二极管包含:一第一电极,配置于邻近该主动元件阵列的一侧;一第二电极,与该第一电极相对设置;以及一有机发光层,夹设于该第一电极与该第二电极之间;
一光学散射层,配置在该有机发光二极管与该基板的该上表面之间,或配置在该基板的该下表面;以及
一封装板,配置于该第二电极上方。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该光学散射层配置在该主动元件阵列与该第一电极之间以覆盖并接触该主动元件阵列,且该光学散射层具有一通孔,该主动元件阵列与该第一电极通过该通孔中所填充的一导电材料来电性连接。
12.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该光学散射层配置在该主动元件阵列与该基板的该上表面之间。
13.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该第一电极及该第二电极在可见光波长范围的平均穿透率大于0.6。
14.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示装置,其特征在于,该第一电极在可见光波长范围的平均反射率小于0.3,而该第二电极在可见光波长范围的平均穿透率大于0.6。
15.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包含:
一基板,具有相对的一上表面及一下表面;
一主动元件阵列,配置在该基板的该上表面的一侧;
至少一有机发光二极管,配置该基板上方,该有机发光二极管包含:一第一电极,配置于邻近该主动元件阵列的一侧,其中该第一电极包含多个纳米导电线,用以对一入射光进行散射;一第二电极,与该第一电极相对设置;以及一有机发光层,夹设于该第一电极与该第二电极之间;以及
一封装板,配置于该第二电极上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





