[实用新型]一种半绝缘分子束外延缓冲层材料结构有效
| 申请号： | 201720266986.6 | 申请日： | 2017-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN206602113U8 | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 冯巍;杜全钢;谢小刚;李维刚;姜炜;郭永平;蒋健 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/201;H01L23/60;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市苏州高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半绝缘 缓冲层 分子束外延 缓冲层材料 多量子阱 电学隔离性能 集成电路芯片 静电防护能力 本实用新型 材料结构 低温生长 衬底 生长 | ||
1.一种半绝缘分子束外延缓冲层材料结构，其特征在于：在半绝缘GaAs衬底(1)上依次生长LT-GaAs缓冲层(2)、LT-GaAs/LT-AlGaAs多量子阱缓冲层(3)、LT-GaAs/LT-AlGaAs多量子阱缓冲层(4)、NT-AlGaAs缓冲层(5)。
2.根据权利要求1所述的一种半绝缘分子束外延缓冲层材料结构，其特征在于：所述的LT-GaAs缓冲层(2)厚度为100至200纳米。
3.根据权利要求1所述的一种半绝缘分子束外延缓冲层材料结构，其特征在于：所述的LT-GaAs/LT-AlGaAs多量子阱缓冲层(3)是通过交替生长LT-GaAs和LT-AlGaAs形成的，其重复周期数是5-10个；在单个周期中，LT-GaAs层的厚度是1.5-5纳米，LT-AlGaAs层的厚度是30-50纳米。
4.根据权利要求1所述的一种半绝缘分子束外延缓冲层材料结构，其特征在于：所述的LT-GaAs/LT-AlGaAs多量子阱缓冲层(4)是通过交替生长LT-GaAs和LT-AlGaAs形成的，其重复周期数是10-20个；在单个周期中，LT-GaAs层的厚度是1.5-5纳米，LT-AlGaAs层的厚度是15-25纳米。
5.根据权利要求1所述的一种半绝缘分子束外延缓冲层材料结构，其特征在于：LT-GaAs/LT-AlGaAs多量子阱缓冲层(3)、LT-GaAs/LT-AlGaAs多量子阱缓冲层(4)的总厚度是300-400纳米。
6.根据权利要求1所述的一种半绝缘分子束外延缓冲层材料结构，其特征在于：所述的NT-AlGaAs缓冲层(5)的厚度是20-50纳米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新磊半导体科技（苏州）有限公司，未经新磊半导体科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720266986.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电视机挂架
- 下一篇：一种便携式教师教学用信息管理器
- 同类专利
- 专利分类
