[实用新型]一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器有效
| 申请号： | 201720251515.8 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN206602460U | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李志君;黄波;李志雨;田远;董兆雯;蔡阿利;颜繁龙;李波;高鑫;许洪东 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)35212 | 代理人： | 宋连梅 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 碳化硅 mosfet llc 谐振 变换器 | ||
1.一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器，其特征在于：包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、变压模块、电容Cr、电容Cf、电感Lr以及电容Cf2，所述电容Cf2的一端分别连接所述MOS管Q1的漏极以及MOS管Q2的漏极，所述电容Cf2的另一端分别连接MOS管Q3的源极以及MOS管Q4的源极；所述电容Cr、电感Lr及变压模块的原边为串联关系，三者构成串联支路，所述串联支路的一端与MOS管Q1的源极与MOS管Q3的漏极相连，串联支路的另一端与MOS管Q2的源极与MOS管Q4的漏极相连，所述变压模块的副边连接至所述电容Cf两端部，所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3以及MOS管Q4为碳化硅MOSFET。
2.如权利要求1所述的一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器，其特征在于：所述变压模块包括至少一变压单元，所述变压单元包括变压器T1、二极管D1、二极管D2、二极管D3以及二极管D4，所述变压器T1原边与电感Lr、电容Cr组成串联支路；所述变压器T1副边的一端部连接所述二极管D1的正极以及二极管D3的负极；所述变压器T1副边的另一端部连接所述二极管D2的正极以及二极管D4的负极；所述二极管D1的负极以及二极管D2的负极连接至所述电容Cf的一端部，所述二极管D3的正极以及二极管D4的正极连接至所述电容Cf的另一端部。
3.如权利要求2所述的一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器，其特征在于：各个所述变压单元相互并联。
4.如权利要求1所述的一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器，其特征在于：还包括复数个驱动模块，每个所述驱动模块包括隔离单元、驱动单元以及电阻单元，所述隔离单元、驱动单元以及电阻单元依次连接，所述电阻单元一一对应连接所述MOS管Q1的栅极、MOS管Q2的栅极、MOS管Q3的栅极以及MOS管Q4的栅极；所述驱动单元的正驱动电压为18V至22V，所述驱动单元的负驱动电压为-2.5V至-4.5V。
5.如权利要求4所述的一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器，其特征在于：所述电阻单元的开通电阻为2欧姆至8欧姆。
6.如权利要求5所述的一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器，其特征在于：所述电阻单元的关断电阻小于或等于开通电阻。
7.如权利要求4所述的一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器，其特征在于：所述隔离单元的CMTI大于或等于25kV/us。
8.如权利要求1所述的一种基于碳化硅MOSFET的LLC谐振变换器，其特征在于：所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3以及MOS管Q4为耐压大于等于1000V的碳化硅MOSFET。
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