[实用新型]复合式散热基板结构

说明书

技术领域

本实用新型系关于一种复合式散热基板结构，特别指一种高功率的复合式散热基板结构。

背景技术

近年来，随着半导体制程技术的进步，许多半导体元件逐渐朝向体积小、高功率、高速传输的方向发展。于光通讯领域中，一般利用雷射二极体作为讯号的发射单元，由于雷射二极体具有方向性佳及输出功率高等特性，在光通讯上受到广泛运用。由于雷射二极体系属于高功率的半导体元件，当雷射二极体驱动时容易产生热，若未将这些热即时释出，会导致半导体的接面温度上升，降低半导体元件的工作效率，降低的效率因热电转换，将累积更多的热造成雷射二极体的温度更进一步地上升，进而影响雷射二极体的稳定性、发光效率、甚至使用寿命。

一般为避免高温影响雷射二极体元件的工作效率，实务上多采用导热效果较佳的材料作为雷射二极体的散热基板，透过高导热的散热基板增加雷射二极体散热的效率，藉以达到较佳的散热效果。然而，一般散热基板的材料多采用陶瓷散热基板，应用于高功率的雷射二极体时，往往无法即时处理雷射二极体运作时产生的高温，而这类的高温将因为热的累积而持续上升，进而影响到雷射二极体的工作效率及使用寿命。因此，本案创作人认为有必要针对现有的散热基板进行改良，以改善高功率雷射二极体于运作时容易产生高温的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于解决一般散热基板无法应付高功率雷射二极体于运作时所产生的高温，进而影响雷射二极体的工作效率、使用寿命等若干问题，提供一种高功率的复合式散热基板结构。

为达上述目的，本实用新型公开了一种复合式散热基板结构，其特征在于包含：

一散热基板，包含有一基板主体以及一设置于该基板主体上的设置槽；以及

一导热金属层，覆盖于该基板主体的设置槽上，于该导热金属层的一侧具有用以搭载雷射半导体的搭载面，相对该搭载面的另一侧则具有一散热面以由该搭载面吸收该雷射半导体的热后由该导热金属层另一侧的散热面扩散至该散热基板。

其中，该雷射半导体及该导热金属层之间具有一用以将雷射半导体固定于该导热金属层上的金属焊料层。

其中，该雷射半导体为边射型雷射二极体。

其中，该散热基板由氮化铝所制成。

其中，该导热金属层由铜所制成。

其中，该散热基板由氮化铝所制成，该导热金属层由铜所制成。

其中，该设置槽内具有一平面，该导热金属层的散热面紧密贴合于该设置槽内的平面。

其中，该设置槽内系具有一或多个第一微结构，该导热金属层的散热面上具有与该第一微结构相对应的第二微结构从而由该第二微结构及该第一微结构之间的结合增加该导热金属层及该散热基板之间的接触面积。

其中，该导热金属层的厚度不大于该散热基板厚度的一半。

其中，该散热基板具有设置于该设置槽两侧与该设置槽间具有阶差的阶段部，该阶段部的宽度大于70μm。

还公开了一种复合式散热基板结构，其特征在于包含：

一散热基板，包含有一基板主体以及一设置于该基板主体上的设置表面；以及

一导热金属层，覆盖于该基板主体的设置表面上，于该导热金属层的一侧具有用以搭载雷射半导体的搭载面，相对该搭载面的另一侧则具有一散热面以由该搭载面吸收该雷射半导体的热后由该导热金属层另一侧的散热面与该散热基板接触扩散至该散热基板。

其中，该雷射半导体及该导热金属层之间具有一用以将雷射半导体固定于该导热金属层上的金属焊料层。

其中，该雷射半导体为边射型雷射二极体。

其中，该散热基板由氮化铝所制成。

其中，该导热金属层由铜所制成。

其中，该散热基板由氮化铝所制成，该导热金属层由铜所制成。

其中，该设置表面为一平面，该导热金属层的散热面紧密贴合于该设置表面上。

其中，该设置表面上具有一或多个第一微结构，该导热金属层的散热面上具有与该第一微结构相对应的第二微结构以由该第二微结构及该第一微结构之间的结合增加该导热金属层及该散热基板之间的接触面积。

其中，该导热金属层的厚度不大于该散热基板厚度的一半。

其中，该散热基板相对该设置表面的另一侧具有另一设置表面，该另一设置表面上形成另一导热金属层，该另一设置表面紧密接合于该另一导热金属层的一导热表面上。