[实用新型]一种真空吸管头

说明书

技术领域

本实用新型涉及真空吸附技术领域，尤其涉及一种真空吸管头。

背景技术

在半导体工业中，干法刻蚀和化学气相沉积等工艺是集成电路与平板显示领域的关键技术，是形成具有良好电学特性的TFT的重要环节。

干法刻蚀是刻蚀工艺的一种，它是利用气压为10～1000帕的特定气体的辉光放电，当特定气体进入腔室中，射频电源同时打开，特定气体在真空腔室中能够生成等离子体(plasma)，等离子体主要由电离气体(Ionized gas)和自由基(Radical)组成。该等离子体与沉积在基板上的薄膜反应生成挥发性物质，进而在腔室内表面沉积形成不良粒子源。

化学气相沉积是指以气体为原材料，在空间进行气相化学反应，在基板表面进行固态薄膜沉积的工艺技术。PECVD(等离子增强化学气相沉积，英文全称为Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称PECVD)利用强电场或磁场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体中含有很多活性很高的化学基团，这些基团经过经一系列化学和等离子体反应，在基板表面形成固态薄膜。PECVD工艺中在玻璃基板表面成膜的同时也会有膜层沉积在腔室的内部，因此会形成不良粒子源。

随着腔室使用时间的增加，腔室内沉积不良粒子源对产品品质的影响越来越严重，一旦腔室内沉积的不良粒子源在工艺过程中掉落，将会严重影响TFT的性能，进而造成面板良率的大幅降低。

现有技术中，通常采用百洁布对腔室内部的不良粒子源进行定期的清理，之后采用真空吸管吸走不良粒子源，然而，在采用百洁布对腔室内部进行清理的过程中，极易在腔室内产生大量扬尘，这些扬尘无法全部被真空吸管吸走，因而在下一次的成膜工艺过程中，将极易导致产品品质不良。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种真空吸管头，以提高对工艺腔室进行清理的效率和质量，进而提高在工艺腔室内进行成膜操作的产品的品质。

本实用新型实施例提供一种真空吸管头，包括用于与真空吸管连接的连接部、与所述连接部固定连接的支撑部以及设置于所述支撑部表面的清洁装置。

当采用本实用新型实施例提供的真空吸管头与真空吸管连接后对工艺腔室进行清洁时，清洁装置在对工艺腔室内的不良粒子源进行清洁的同时，真空吸管可以将清洁装置清洁的不良粒子源吸出腔室外，相比现有技术，大大地减少了扬尘现象的产生，并且缩短了作业时间，提高了对工艺腔室进行清洁的效率和质量，进一步可以提高在工艺腔室内进行成膜操作的产品的品质。

优选的，所述支撑部为网状支撑部。

优选的，所述支撑部为蜘蛛网状支撑部。

优选的，所述清洁装置套设于所述支撑部外侧。

优选的，所述清洁装置与所述支撑部可拆卸连接。

具体的，所述清洁装置包括百洁布。

优选的，所述百洁布具有网状结构。

优选的，所述清洁装置为柔性清洁装置。

附图说明

图1为本实用新型实施例真空吸管头的主视图；

图2为本实用新型实施例不带清洁装置的真空吸管头的立体结构示意图；

图3为本实用新型实施例不带清洁装置的真空吸管头的主视图；

图4为本实用新型实施例支撑部的平面结构示意图。

附图标记说明：

10-连接部

20-支撑部

30-清洁装置

具体实施方式

为了提高对工艺腔室进行清理的效率和质量，进而提高在工艺腔室内进行成膜操作的产品的品质，本实用新型实施例提供了一种真空吸管头。下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示，本实用新型实施例提供一种真空吸管头，包括用于与真空吸管连接的连接部10、与连接部10固定连接的支撑部20以及设置于支撑部20表面的清洁装置30。

当采用本实用新型实施例提供的真空吸管头与真空吸管连接后对工艺腔室进行清洁时，清洁装置在对工艺腔室内的不良粒子源进行清洁的同时，真空吸管可以将清洁装置清洁的不良粒子源吸出腔室外，相比现有技术，大大地减少了扬尘现象的产生，并且缩短了作业时间，提高了对工艺腔室进行清洁的效率和质量，进一步可以提高在工艺腔室内进行成膜操作的产品的品质。