[实用新型]集成图像传感器和电子系统有效
申请号: | 201720235765.2 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN207320115U | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | A·克罗彻瑞;P·马林格 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(克洛尔2)公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 图像传感器 电子 系统 | ||
1.一种集成图像传感器,所述集成图像传感器具有背面照度,所述集成图像传感器包括至少一个像素(PIX),所述至少一个像素包括有源半导体区域(1)和聚光透镜(L),所述有源半导体区域具有第一面(10)和第二面(11)并且包含光电二极管(3),所述聚光透镜位于所述有源半导体区域(1)的所述第一面(10)的前方并且被配置成用于将到达所述透镜(L)上的光线(r1)引导朝向所述有源半导体区域(1)的中央区(12),其特征在于,所述有源半导体区域(1)包括第一衍射元件(5),所述第一衍射元件具有与所述有源半导体区域(1)的折射率不同的折射率并且至少部分地位于所述有源半导体区域的所述第一面(10)和所述第二面(11)之一上的所述中央区(12)。
2.根据权利要求1所述的集成图像传感器,其特征在于,还包括至少一个金属化层(M),所述至少一个金属化层位于所述有源半导体区域的所述第二面的前方、被包封在绝缘区域(41)中并且光学地耦合至所述第一衍射元件(5)。
3.根据权利要求1所述的集成图像传感器,其特征在于,所述第一衍射元件(5)包含第一绝缘材料沟槽(50),所述第一绝缘材料沟槽位于所述有源半导体区域(1)中在所述有源半导体区域(1)的所述第一面(10)上。
4.根据权利要求1所述的集成图像传感器,其特征在于,所述第一衍射元件(5)包含第二绝缘材料沟槽(51),所述第二绝缘材料沟槽位于所述有源半导体区域(1)中在所述有源半导体区域(1)的所述第二面(11)上。
5.根据权利要求1所述的集成图像传感器,其特征在于,所述第一衍射元件(5)包括形成在所述有源半导体区域的所述第二面(11)上的一行多晶硅(52)。
6.根据权利要求1所述的集成图像传感器,其特征在于,所述第一衍射元件(5)沿平行于所述第一面(10)和所述第二面(11)的单个方向延伸并且至少部分地位于所述有源半导体区域(1)的中央区(12)中。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的集成图像传感器,其特征在于,包括多个衍射元件,所述多个衍射元件包括所述第一衍射元件。
8.根据权利要求7所述的集成图像传感器,其特征在于,所述多个衍射元件中的至少一些衍射元件结合在一起,从而形成沿多个方向延伸的单个衍射图案。
9.一种电子系统,其特征在于,所述电子系统包括至少一个根据权利要求1至8之一所述的集成图像传感器(CAP)。
10.根据权利要求9所述的电子系统,其特征在于,所述电子系统属于形成智能电话(TPI)或数字相机(APN)的类型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的