[实用新型]一种过压及浪涌保护电路

权利要求书

1.一种过压及浪涌保护电路，其特征在于，包括连接在直流输入端和直流输出端之间的过压保护模块(10)、上电延时模块(20)和开关模块(30)；

其中，所述过压保护模块(10)和所述上电延时模块(20)的一端、以及所述开关模块(30)的第一输入端连接所述直流输入端，所述过压保护模块(10)和所述上电延时模块(20)的另一端连接所述开关模块(30)的第二输入端，所述开关模块(30)的输出端连接所述直流输出端。

2.如权利要求1所述的过压及浪涌保护电路，其特征在于，所述过压保护模块(10)包括依次连接的过压检测单元(11)、过压触发单元(12)和过压控制单元(13)；

所述过压检测单元(11)检测到输入电压高于预设值时，所述过压触发单元(12)向所述过压控制单元(13)发送过压控制信号，所述过压控制单元(13)接收所述过压控制信号后控制所述开关模块(30)关闭。

3.如权利要求2所述的过压及浪涌保护电路，其特征在于，所述过压检测单元(11)包括二极管(D1)和第六电阻(R6)；

所述二极管(D1)的负极连接所述直流输入端，所述二极管(D1)的正极与所述第六电阻(R6)的一端相接，所述第六电阻(R6)的另一端接地。

4.如权利要求3所述的过压及浪涌保护电路，其特征在于，所述过压触发单元(12)包括第五电阻(R5)、第二电容(C2)和第二三极管(Q3)；

所述第五电阻(R5)的一端连接所述二极管(D1)的正极，所述第五电阻(R5)的另一端分别与所述第二电容(C2)的一端、所述第二三极管(Q3)的基极连接，所述第二电容(C2)的另一端、所述第二三极管(Q3)的发射极接地。

5.如权利要求4所述的过压及浪涌保护电路，其特征在于，所述过压控制单元(13)包括第一三极管(Q2)、第二电阻(R2)和第三电阻(R3)；

所述第二电阻(R2)的一端、所述第三电阻(R3)的一端连接所述第一三极管(Q2)的基极；

所述第二电阻(R2)的另一端和所述第一三极管(Q2)的发射极一同连接所述直流输入端；

所述第一三极管(Q2)的集电极连接所述开关模块(30)的第二输入端；

所述第三电阻(R3)的另一端连接所述第二三极管(Q3)的集电极。

6.如权利要求1所述的过压及浪涌保护电路，其特征在于，所述上电延时模块(20)包括第一电阻(R1)、第一电容(C1)和第四电阻(R4)；

所述第四电阻(R4)的一端接地，所述第一电阻(R1)和所述第一电容(C1)的一端连接所述直流输入端；

所述第四电阻(R4)、所述第一电阻(R1)、所述第一电容(C1)的另一端均连接所述开关模块(30)的第二输入端。

7.如权利要求1所述的过压及浪涌保护电路，其特征在于，所述开关模块(30)采用MOS管(Q1)作为电路开关，所述MOS管(Q1)的源极作为所述开关模块(30)的第一输入端和所述直流输入端连接；所述MOS管(Q1)的漏极作为所述开关模块(30)的输出端和所述直流输出端连接；所述MOS管(Q1)的栅极作为所述开关模块(30)的第二输入端分别和所述过压保护模块(10)、所述上电延时模块(20)电路连接。

8.如权利要求7所述的过压及浪涌保护电路，其特征在于，所述MOS管(Q1)为PMOS管。