[实用新型]一种钝化接触全背电极太阳电池结构有效
| 申请号： | 201720229879.6 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN206595264U | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李华;鲁伟明;李中兰 | 申请（专利权）人： | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 225300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 接触 电极 太阳电池 结构 | ||
1.一种钝化接触全背电极太阳电池结构，其特征在于：包括硅片衬底，在硅片衬底正面设置金字塔绒面，硅片衬底背面形成抛光面，在硅片衬底背面设置遂穿氧化层，在遂穿氧化层上交替排列N型多晶硅层和P型多晶硅层，N型多晶硅层和P型多晶硅层中间通过本征多晶硅层隔离开来，N型多晶硅层和P型多晶硅层上分别设置对应的N区金属接触电极和P区金属接触电极。
2.如权利要求1所述的一种钝化接触全背电极太阳电池结构，其特征在于：在N型多晶硅层、P型多晶硅层以及本征多晶硅层上设置背面钝化膜，在背面钝化膜上对应N区金属接触电极的位置设置有N区接触孔，在背面钝化膜上对应P区金属接触电极的位置设置有P区接触孔，然后在N区接触孔中设置对应的N区金属接触电极，在P区接触孔中设置对应的P区金属接触电极，并且N区金属接触电极的上端伸出N区接触孔，P区金属接触电极的上端伸出P区接触孔，其中背面钝化膜结构为AlOx/SiNx或者SiO2/AlOx/SiNx的叠层膜组合。
3.如权利要求1或2所述的一种钝化接触全背电极太阳电池结构，其特征在于：所述硅片衬底为N型硅片衬底，金字塔绒面上还设置有前表面场，在前表面场外侧设置正面钝化减反膜。
4.如权利要求1或2所述的一种钝化接触全背电极太阳电池结构，其特征在于：遂穿氧化层的厚度为0.5-5nm，多晶硅层厚度为20-300nm 。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
