[实用新型]一种抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆有效
申请号: | 201720229366.5 | 申请日: | 2017-03-09 |
公开(公告)号: | CN206727201U | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 郑军;李军;卓越;罗浪涛 | 申请(专利权)人: | 深圳金信诺高新技术股份有限公司 |
主分类号: | H01P3/06 | 分类号: | H01P3/06 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司44217 | 代理人: | 郭伟刚 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辐照 损耗 射频 同轴电缆 | ||
技术领域
本实用新型涉及电缆领域,尤其涉及一种抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆。
背景技术
高性能微波信号电缆是现代化信息装备的重要基础器件。例如,现代人造卫星具有复杂的星载电子系统,星载电子设备在各种复杂的电磁干扰环境中实现信息的准确可靠传递尤为重要,如侦查卫星的高抗干扰、远程探测、精确定位等信息的传输,以及宇宙空间环境中必需的抗强辐照性能。抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆是星载设备传输微波信号的重要基础器件,它要求更高的抗辐照性能,更低的损耗,更小的反射(VSWR)和更稳定的温度相位,这样才能保证星载电子设备的信号高可靠性的传输。
但是,现有的低损耗稳相电缆,由于其材料的局限性,其并不具备在强辐射、强电磁干扰、高温差的宇宙空间中长期有效工作的特性。同时,宇航设备部件的维修、更换代价巨大,这对低损耗稳相电缆的结构稳定性提出了更高的要求。
具体来说,如中国专利CN200810241735.8,目前低损耗稳相电缆已可以适用于强振动、较高温差的机载设备中,其护套和绝缘材料采用耐极限温度可达-100℃~200℃的氟塑料。护套一般采用聚全氟乙丙稀(FEP),其在辐照量超过5×105rad时会退化;绝缘材料一般采用聚四氟乙烯(PTFE),具有极好的介电常数和低损耗因子,但其耐辐照性能差;这样,现有的低损耗稳相电缆产品经电子辐照后其绝缘材料分子链将被打破,绝缘层变为不连续粉末状,严重影响产品的结构稳定性。
进一步地,现有低损耗稳相电缆的电缆结构为:绝缘层推挤附着在内导体丝上,外导体绕包在绝缘层上。在这种电缆结构下,绝缘层的温度膨胀会造成电缆的相位机械稳定性能不良。
实用新型内容
本实用新型针对上述技术问题,提出了一种抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆。
本实用新型所提出的技术方案如下:
本实用新型提出了一种抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆,包括由内向外依次设置的内导体、绝缘层、外导体以及护套,绝缘层采用绕包在内导体上的聚四氟乙烯带形成;护套采用乙烯-四氟乙烯共聚物制成。
本实用新型上述的抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆中,外导体包括由内向外依次设置的第一屏蔽层、第二屏蔽层以及第三屏蔽层。
本实用新型上述的抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆中,第一屏蔽层采用绕包在绝缘层上的铜合金带形成。
本实用新型上述的抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆中,第二屏蔽层采用绕包在第一屏蔽层上的金属复合膜带形成。
本实用新型上述的抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆中,金属复合膜带为铝-聚酰亚胺复合带。
本实用新型上述的抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆中,金属复合膜带包括导电铝层面和聚酰亚胺层面,其中,导电铝层面朝向第一屏蔽层;聚酰亚胺层面朝向第三屏蔽层。
本实用新型上述的抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆中,第三屏蔽层采用编织在第二屏蔽层上的铜合金网线形成。
本实用新型上述的抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆中,内导体包括铜合金基材,该铜合金基材表面镀银。
本实用新型的抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆通过在最外层的护套采用乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)制成,从而加强电缆的抗辐照性能;绝缘层采用绕包在内导体上的聚四氟乙烯带形成,这种绕包结构具有良好的相位机械稳定性能,且这种结构下绝缘层和外导体的温度膨胀可以形成良性补偿,从而实现相位的温度稳定。进一步地,本实用新型的抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆还采用金属复合膜带,其导电铝层面朝向第一屏蔽层,从而保证优异的信号传导性,聚酰亚胺层面朝向第三屏蔽层,具有对绝缘层的抗辐照防护作用,同时,绕包在第一屏蔽层上的金属复合膜带增强了电缆的机械稳定性。综上,本实用新型的抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆设计巧妙,实用性强。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明,附图中:
图1示出了本实用新型实施例的抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆的示意图;
图2示出了本实用新型实施例的抗辐照低损耗稳相射频同轴电缆的制造方法的详细流程图。
具体实施方式
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