[实用新型]一种非接触式标识存储器的读写电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及存储器技术领域，尤其是一种非接触式标识存储器的读写电路。

背景技术

非接触式标识存储器在进行读写时，不像一般存储器那样直接在电气上与读写信号线连接，而是通过电磁交链进行能量传输和信息读写，使存储器与读写器在电气上没有直接接触。标识存储器和读写器之间是通过天线来进行信息双向传输的。标识存储器IC芯片所需的能量是通过连接在芯片的LC天线接收读写器发射的射频交变磁场来获取，然后再通过整流转变为直流电源，使存储器IC芯片得到工作电压和电流。现有的非接触式标识存储器存在可调参数少，延长读写距离较困难，价格较高等问题。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供一种非接触式标识存储器的读写电路，对原读写电路进行了改进。

一种非接触式标识存储器的读写电路，包括交变磁场发射电路、接收解调电路，所述交变磁场发射电路主要由4MHz晶振、32分频器、低通滤波电路和驱动电路构成，所述4MHz晶振连接所述32分频器，所述32分频器经过所述低通滤波电路连接所述驱动电路；所述低通滤波电路由第一电感和第一电容组成；所述驱动电路主要由三个三极管组成，所述三个三极管包括两个PNP型三极管，一个NPN型三级管，第一PNP型三级管的基极连接所述低通滤波电路，其集电极接地，其发射极连接第二PNP型三级管的基极，所述第二PNP型三级管的集电极接地，其发射极通过电阻连接至NPN型三级管的发射极，所述NPN型三级管的基极通过二极管连接至所述第二PNP型三级管的基极，通过电阻连接至所述低通滤波电路，所述NPN型三级管的集电极连接+9V电源；所述第二PNP型三级管的发射极和集电极之间连接有串联谐振电路，所述串联谐振电路由第二电感和第二电容串联而成，所述第二电感连接所述第二PNP型三级管的发射极；所述第二电容连接所述第二PNP型三级管的集电极；

所述接收解调电路主要由解调电路、阻容滤波电路、第一滤波整形电路和第二滤波整形电路构成；所述解调电路由检波二极管、解调电容和解调电阻组成，所述解调电容和所述解调电阻并联后，一端接地，另一端连接至所述检波二极管正极，所述检波二极管负极连接至所述第二电感和所述第二电容之间；所述阻容滤波电路由第一阻容滤波电阻、第一阻容滤波电容、第二阻容滤波电容、第二阻容滤波电阻组成，所述第一阻容滤波电阻、第二阻容滤波电容、第二阻容滤波电阻串联，并与所述检波二极管串联，所述第一阻容滤波电容与所述解调电阻并联；所述第一滤波整形电路主要由第一运放、第二运放构成，所述第一运放的负向输入端连接所述阻容滤波电路，其正向输入端连接所述第二运放的正向输入端，并共同连接+5V电压，所述第一运放输出端连接所述第二运放的负向输入端，所述第二运放输出端连接所述第二滤波整形电路；所述第二滤波整形电路主要由第三运放构成，所述第三运放的正向输入端连接所述第二运放的输出端，其负向输入端连接+5V电压，其输出端连接MCU。

进一步的，所述低通滤波电路前端并联有三个与非门，以增加分频器的驱动能力。

进一步的，所述第一运放输出端与其负向输入端之间，并联两个反向并联的二极管；更进一步的，所述解调电阻阻值选用390KΩ，所述解调电容容值选用0.0022μF，其耐压200V。

本实用新型的有益效果：在不造成电磁污染的同时，增加了交变磁场强度，增加信号接收的灵敏度，收到了良好的效果，平均读写距离由原来的4cm左右延长到10cm左右。

附图说明

图1为交变磁场发射电路一；

图2为交变磁场发射电路二；

图3为接收解调电路一；

图4为接收解调电路二。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。本实用新型的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本实用新型限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本实用新型的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本实用新型从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。

实施例1