[实用新型]一种双面扇出系统级封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及系统级封装技术领域，具体涉及一种双面扇出系统级封装结构。

背景技术

伴随着芯片技术的不断提升，单位面积下容纳的信号数量不断增加，芯片的IO数量不断上升，从而导致芯片的信号IO之间的间距不断减小。而印刷电路板(PCB)行业相对芯片行业发展比较滞后，基于PCB的封装技术受限于PCB的制程能力，线宽/线距无法太小，因此无法满足现在高密度芯片的系统级设计需求。与在PCB上进行系统集成相比，系统级封装(SIP)能最大限度地优化系统性能、避免重复封装、缩短开发周期、降低成本、提高集成度，解决芯片的信号IO间距和PCB的线宽/线距不能很好匹配的问题。

但是现有的扇出系统级封装结构均是单面封装，封装结构局部区域的单位面积的IO数量较少。另外，单面封装中不同的芯片的信号互联是通过设置在相邻两个芯片之间的布线层或焊料凸点实现的，且布线层或焊料凸点为一种串联的连接方式，若中间任一层的布线层或焊料凸点出现问题，整个封装结构将不能正常使用。例如，中国专利文献CN102157393A公开了一种扇出高密度封装方法，包括至少两层保护层和至少两组布线封装层，布线封装层通过布线层与形成在保护层表面的再布线金属层导通，即不同贴装层中的芯片是通过相互导通的多层布线层将信号互联并最终通过最下层的再布线金属层由上至下依次输出的，封装结构上层单位面积的IO数量较少，且若中间的任一层布线层出现问题，整个封装结构将不能正常使用。

另外，由于PCB的线宽/线距相比于芯片的信号IO间距要大得多，仅仅依靠扇出系统级封装并不能使二者完全地匹配，满足实际需求。

实用新型内容

因此，本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中的扇出系统级封装结构单位面积的IO数量较少，且信号传输通道单一的缺陷，从而提供一种单位面积的IO数量较多，多个信号传输互不干扰的双面扇出系统级封装结构。

本实用新型要解决的另一个技术问题在于克服现有技术中的芯片的信号IO间距与PCB的线宽/线距不能完全匹配的缺陷，从而提供一种芯片的信号IO间距能够与PCB的线宽/线距完全匹配的双面扇出系统级封装结构。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种双面扇出系统级封装结构，包括：

相向间隔设置的第一保护层和第二保护层；

封装在所述第一保护层和第二保护层之间的若干个芯片；

设置在所述第一保护层和第二保护层之间、用于将所述若干个芯片的信号分别输出的信号输出层。

所述的双面扇出系统级封装结构，所述若干个芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片的功能面向下与所述第一保护层连接设置，所述第二芯片的功能面向上与所述第二保护层连接设置。

所述的双面扇出系统级封装结构，所述信号输出层包括分别设置在所述第一保护层和第二保护层的内表面的第一金属层和第二金属层，以及连通所述第一金属层和第二金属层且填充有金属的至少一个孔。

所述的双面扇出系统级封装结构，还包括用于封装所述第一芯片和第二芯片的封装层，所述至少一个孔设置在所述封装层中。

所述的双面扇出系统级封装结构，所述第一保护层上设置有若干个用于将输送至所述第一金属层的信号输出的预留孔，所述预留孔中安装有焊球。

所述的双面扇出系统级封装结构，还包括一设置在所述第一保护层和所述第一芯片之间的、用于将所述第一芯片的线宽进行放大的第一硅转接板，和/或设置在所述第二保护层和所述第二芯片之间的、用于将所述第二芯片的线宽进行放大的第二硅转接板。

所述的双面扇出系统级封装结构，所述第一硅转接板和第二硅转接板均包括上转接层、下转接层和连通所述上转接层与下转接层的中间转接层。

所述的双面扇出系统级封装结构，所述第一硅转接板的上转接层上开设有若干个与所述第一芯片连接的第一引脚，所述第二硅转接板的下转接层上开设有若干个与所述第二芯片连接的第二引脚。

本实用新型技术方案，具有如下优点：

1.本实用新型提供的双面扇出系统级封装结构，封装在第一保护层和第二保护层之间的若干个芯片通过设置在第一保护层和第二保护层之间的信号输出层将不同的信号经不同的信号传输通道输出，不仅使得不同的信号之间相互隔离，避免产生干扰，还提高了封装结构局部区域单位面积的IO数量，使得封装结构的集成度更高。