[实用新型]一种高转换效率多晶硅片有效
| 申请号: | 201720218167.4 | 申请日: | 2017-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN206602121U | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
| 发明(设计)人: | 张爱军;丁桂林;吴玉兰;殷建国;郭宏斌 | 申请(专利权)人: | 江苏弘德科技发展有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/054 |
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| 地址: | 225000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 转换 效率 多晶 硅片 | ||
1.一种高转换效率多晶硅片,其特征在于:包括多晶硅片,所述多晶硅片的上端面设置有反射层,所述反射层与多晶硅片之间设置有第二即时发泡密封胶,所述反射层的上端面设置有玻璃层,所述多晶硅片的下端面通过第一即时发泡密封胶粘接有第二氟膜,所述第二氟膜的下端面顺次连接有PET后模和第一氟膜。
2.根据权利要求1所述的高转换效率多晶硅片,其特征在于:所述反射层包括第一反射板、第二反射板和弧形反射板,所述弧形反射板的一侧边与所述第一反射板连接,所述弧形反射板的另一侧边与所述第二反射板连接。
3.根据权利要求2所述的高转换效率多晶硅片,其特征在于:所述第一反射板和第二反射板呈V形设置。
4.根据权利要求2-3任一项权利要求所述的高转换效率多晶硅片,其特征在于:所述弧形反射板呈抛物线形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





