[实用新型]一种晶圆烘烤装置有效
申请号: | 201720215425.3 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN207320066U | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 王子菲 | 申请(专利权)人: | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 上海市浦东新区郭守敬路*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 烘烤 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种烘烤装置,尤其涉及一种晶圆烘烤装置。
背景技术
晶圆是当前半导体组件的基础半成品,在生产晶圆的过程中,时常需要将晶圆置入烘烤装置,通过烤盘的适当温度来将晶圆上的光刻胶体等等,进行物理性或是化学性的转变,例如热固化等等;
传统的晶圆烘烤装置是一线性烘烤制程,晶圆依序排列在一线性的路径上,依序经机械手臂传输置入烤盘,进行烘烤完成后再经机械手臂传输出烘烤装置。因此,存在烤盘等待机械手臂传输置入晶圆与机械手臂等待晶圆烘烤完成将其传输出烘烤装置所耗费的时间,这对晶圆烘烤产率也有较大影响。虽然半导体企业可同时启动多个这类的晶圆烘烤装置来进行晶圆的多线作业,但是将较大的增加装置采购、维修保养及其他综合成本;
为此,本实用新型特设计一种晶圆烘烤装置,晶圆在烘烤装置里进行烘烤时,机械手臂可以同时进行晶圆的传输动作,缩短晶圆传输时间,提高晶圆烘烤产效率。
发明内容
为实现上述目的,本实用新型所提供的技术方案是:一种晶圆烘烤装置,它包括腔体、加热器、晶圆传输手臂、晶圆中转承载台、晶圆吸盘。所述晶圆传输手臂安装固定在腔体的前端;所述晶圆吸盘安装固定在腔体的后端;所述晶圆中转承载台安装固定在晶圆传输手臂和晶圆吸盘的中间位置;所述晶圆传输手臂将晶圆传输转移至晶圆中转承载台上,晶圆中转承载台通过旋转机构将晶圆转移至晶圆吸盘正上方,晶圆吸盘通过抬升机构抬升并物理接触晶圆底面,并继续抬升使晶圆贴近上方加热烘烤装置的加热烘烤面,对晶圆进行烘烤。
进一步地:晶圆中转承载台的台面为圆盘形,台面上设至少均匀分布4个晶圆承载口。
进一步地,当晶圆吸盘处于晶圆中转承载口上方时,以及晶圆吸盘提升或下降时,晶圆中转承载台停止转动,位置保持静止不动。
进一步地:当晶圆在进行烘烤时,始终至少有一个晶圆承载口是对着机械手臂的传输方位。
附图说明
图1是本发明实施例的烘烤装置的示意图;
图2、图3是实施例的烘烤装置晶圆抬升示意图;
1.腔体;2.晶圆传输口开关阀;3.晶圆传输口;4.机械手臂;5.机械手臂末端执行器; 6.加热器;7.晶圆中转承载台旋转机构;8. 晶圆中转承载台;9.晶圆吸盘抬升机构。10.晶圆吸盘。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明,图1、图2、图3是本发明实施例的烘烤装置的示意图。
本实l所述晶圆传输手臂4安装固定在腔体1的前端;所述晶圆吸盘10安装固定在腔体1的后端;所述晶圆中转承载台8安装固定在晶圆传输手臂4和晶圆吸盘10的中间位置;所述晶圆传输手臂4将晶圆传输转移至晶圆中转承载台8上,晶圆中转承载台8通过旋转机构7将晶圆转移至晶圆吸盘10正上方,晶圆吸盘10通过抬升机构9抬升并物理接触晶圆底面,并继续抬升使晶圆贴近上方加热器6的加热烘烤面,对晶圆进行烘烤。
所述晶圆传输手臂4安装固定在腔体1的前端;
所述晶圆吸盘10安装固定在腔体1的后端;
所述晶圆中转承载台8安装固定在晶圆传输手臂4和晶圆吸盘10的中间位置;
所述晶圆中转承载台8在晶圆在进行烘烤时,始终至少有一个晶圆承载口是对着机械手臂4的传输方位。以使机械手臂4能够在在晶圆在进行烘烤时,将烘烤过的晶圆传出腔体1,并将待烘烤晶圆传入腔体1,放置在机械手臂4对应的晶圆承载口,晶圆中转承载台8通过晶圆中转承载台旋转机构7旋转,以转换晶圆承载口;
所述通过增加晶圆中转承载台8,改进了机械手臂4直接将在晶圆吸盘10上放置和移出的方式,本装置晶圆中转承载台8只需要转动最多90°的角度就可以使烘烤完成的晶圆移出,并同时将待烘烤的晶圆放置在晶圆吸盘10的上方,使晶圆吸盘10更换晶圆的路径与时间缩短,实现晶圆的快速输出与输入,避免了传统烘烤装置晶圆烘烤完成后,晶圆吸盘等待机械手臂移出晶圆和机械手臂再放置待烘烤晶圆,即每烘烤一片晶圆需消耗机械手臂至少2个晶圆传输路径的时间,使晶圆传输所需时间缩短,达到提高晶圆烘烤产率;
以上所述实例只为本实用新型之较佳实例,并非以此限制本实用新型的实施范围。故凡依本实用新型的形状、原理所做的变化,均应涵盖在本实用新型保护范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造