[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称为TFT-LCD)基本上包含有阵列基板、彩膜基板和填充于二者之间的液晶材料，通过电子元件TFT驱动液晶像素，产生丰富亮丽的图形。阵列基板上具有许多排列成多组的薄膜晶体管、像素电极、互相垂直交错的栅线和数据线。为进一步实现高分辨率、高显示频率的大尺寸液晶显示器，栅线与数据线的数量需要大量增加，每一个像素的充电时间将被缩短，同时每一个像素的尺寸也会随液晶显示器尺寸的增大而增加。每个像素内的TFT器件的尺寸也越大，导致显示器模拟电路设计的均匀性越差，影响显示品质。

实用新型内容

鉴于此，为解决现有技术的问题，本实用新型的实施例提供一种阵列基板及显示装置，通过将一个大尺寸的像素单元分隔为两个有源层互不接触的较小的子区，使得每个子区的亮度均匀性均得以提高，提高了显示装置的模拟电路设计的均匀性。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一方面、本实用新型实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括，设置在衬底基板上的平行且间隔排列的多根第一公共电极线；设置在每相邻两根所述第一公共电极线之间的平行于所述第一公共电极线的栅线；覆盖所述第一公共电极线和所述栅线的栅绝缘层；设置在所述栅绝缘层上的平行且间隔排列的多根数据线；所述第一公共电极线与所述数据线交叉限定出多个像素单元；所述栅线将所述像素单元划分为两个子区；每个所述子区内设置有独立的薄膜晶体管。

可选的，每个所述薄膜晶体管的有源层互不相连；所述阵列基板还包括与所述子区一一对应的多个互不接触的像素电极；所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电性连接，且每个所述像素电极至少有部分区域位于所述子区内。

优选的，所述阵列基板还包括，设置在任一根所述第一公共电极线与相邻的所述栅线之间的且与所述第一公共电极线同层设置的第二公共电极线；设置在每个所述子区内的漏极盘以及连接所述漏极盘与所述薄膜晶体管中漏极的漏极连接线；所述漏极盘、所述漏极连接线以及所述漏极均同层设置；其中，所述第二公共电极线与所述漏极盘有重叠。

优选的，所述第二公共电极线平行于所述第一公共电极线。

优选的，所述阵列基板还包括，覆盖包括有所述数据线的源漏金属层的保护层；所述保护层上具有露出所述漏极盘的过孔；所述像素电极通过所述过孔与所述漏极盘相连。

优选的，所述保护层由钝化层和/或有机材料平坦化层构成。

优选的，所述像素电极与两侧的所述数据线均有重叠。

优选的，所述数据线包括与所述第一公共电极线垂直的多个第一线段部分、与所述第一公共电极线垂直的多个第二线段部分以及连接所述第一线段部分与所述第二线段部分的多个第三线段部分；其中，针对一根所述数据线，每段所述第一线段部分跨越相邻的两个所述像素单元，且所述第一线段部分的两端分别位于跨越的一根第一公共电极线两侧；每段所述第一线段部分与所述数据线一侧的所述像素单元中的所述像素电极有重叠；每段所述第二线段部分跨越与所述数据线交叉设置的所述栅线，且所述第二线段部分的两端分别位于所述栅线的两侧；每段所述第二线段部分与所述数据线的另一侧的所述像素单元中的所述像素电极有重叠。

优选的，每段所述第三线段部分与所述第二公共电极线呈倾斜设置，且每段所述第二线段部分两端的所述第三线段部分对称设置。

优选的，每段所述第三线段部分均位于所述第二公共电极线上方。

优选的，所述阵列基板还包括，设置在至少一个所述像素单元内的公共电极线连接线；所述公共电极线连接线与所述第一公共电极线、所述第二公共电极线同层设置，用于连接所述第二公共电极线与相邻的所述第一公共电极线；其中，设置在至少一个所述像素单元内的所述公共电极线连接线位于一个或两个所述子区内。

优选的，所述栅线划分的两个所述子区面积相同。

可选的，每根所述栅线两侧上延伸出分别位于每个所述子区内的多个栅极；每根所述栅线上具有多个镂空部；每个所述镂空部位于相对的两个栅极之间，且延伸至与所述栅线交叉设置的所述数据线的下方。

优选的，所述漏极盘的宽度大于或等于所述漏极和所述漏极连接线的宽度；和/或，所述漏极盘的宽度等于所述第二公共电极线的宽度。

另一方面、本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括所述的阵列基板。