[实用新型]低栅漏电容的纵向场效应晶体管有效
| 申请号： | 201720207029.6 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN206490067U | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 胡欣 | 申请（专利权）人： | 上海矽望电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海大视知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31314 | 代理人： | 蔡沅 |
| 地址： | 200093 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏电 纵向 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种低栅漏电容的纵向场效应晶体管，包括：
衬底，作为漏极；
P-体区，形成于所述的衬底顶部的一部分；
N+注入区，作为源极，形成于所述的P-体区顶部的一部分；
多晶硅，作为栅极，形成于所述的衬底顶部的另一部分与所述的P-体区顶部的另一部分之上；
其特征在于，还包括：
厚栅氧区，形成于所述的多晶硅与所述的衬底之间。
2.根据权利要求1所述的低栅漏电容的纵向场效应晶体管，其特征在于，所述的厚栅氧区为热氧化层或浅槽隔离层。
3.根据权利要求1所述的低栅漏电容的纵向场效应晶体管，其特征在于，还包括：
P+注入区，作为体区引出端，形成于所述的P-体区顶部。
4.根据权利要求3所述的低栅漏电容的纵向场效应晶体管，其特征在于，所述的多晶硅覆盖于所述的P-体区顶部未设置N+注入区和P+注入区的部分以及所述的厚栅氧区的顶部。
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