[实用新型]处理套件和等离子体腔室

权利要求书

1.一种适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，所述处理套件包括：

边缘环，所述边缘环包括：

内环，所述内环包括：

非金属导电体，所述非金属导电体具有与第二表面相对的第一表面，所述非金属导电体具有小于50Ohm-cm的电阻率，其中所述内环包括沿所述内环的内径设置的凹口，其中所述凹口具有上升小于1200μm的垂直分量和在1300μm与2500μm之间延伸的水平分量；和

外环，所述外环耦接到所述内环并环绕所述内环的周边，所述外环包括：

石英主体，所述石英主体具有与第四表面相对的第三表面。

2.如权利要求1所述的处理套件，进一步包括：

至少一个热接触垫，所述至少一个热接触垫与所述内环的第二表面接触。

3.如权利要求2所述的处理套件，其特征在于，所述热接触垫和所述边缘环共用类似的热导率。

4.如权利要求2所述的处理套件，其特征在于，所述至少一个热接触垫具有不连续的环形状。

5.如权利要求2所述的处理套件，其特征在于，所述热接触垫包含硅树脂材料。

6.如权利要求1所述的处理套件，其特征在于，所述内环的所述第二表面包括至少部分在所述第二表面中镗过的至少一个槽，其中至少一个热接触垫容纳在所述槽内，并且其中所述至少一个热接触垫包含硅树脂材料。

7.如权利要求1所述的处理套件，进一步包括耦接到所述外环的所述第四表面的导电构件。

8.如权利要求7所述的处理套件，其特征在于，所述外环包括在所述第四表面中形成的通道，并且其中所述导电构件至少部分地被设置在所述通道内。

9.一种用于对基板执行半导体处理的等离子体腔室，所述等离子体腔室包括：

基板支撑组件；和

处理套件，所述处理套件适合于邻近所述基板支撑组件使用并且耦接到所述基板支撑组件的凸缘，所述处理套件包括：

边缘环，所述边缘环包括沿所述边缘环的内径设置的凹口，其中所述凹口具有上升小于1200μm的垂直分量和在1300μm和2500μm之间延伸的水平分量；

和

导电构件，所述导电构件耦接到所述边缘环。

10.如权利要求9所述的等离子体腔室，其特征在于，所述边缘环包括：

内环，所述内环设置成邻近所述基板支撑组件，所述内环包含非金属导电材料；

外环，所述外环耦接到所述内环并环绕所述内环的周边，所述外环包含石英材料。

11.如权利要求10所述的等离子体腔室，其特征在于，所述内环具有小于50Ohm-cm的电阻率。

12.如权利要求9所述的等离子体腔室，进一步包括：

至少一个热接触垫，所述至少一个热接触垫耦接到所述边缘环并且被设置在形成于所述边缘环中的槽内。

13.如权利要求12所述的等离子体腔室，其特征在于，所述至少一个热接触垫包括硅树脂材料。

14.如权利要求9所述的等离子体腔室，其特征在于，所述导电构件至少部分地设置在形成于所述边缘环中的通道中。

15.如权利要求12所述的等离子体腔室，进一步包括第二热接触垫、第三热接触垫和第四热接触垫，其中每个热接触垫都被设置在形成于所述边缘环中的槽中。

16.一种适合在处理腔室中使用的处理套件，所述处理套件包括：

边缘环，所述边缘环环绕被设置在所述处理腔室中的基板支撑组件的周边，所述边缘环包括：

内环，所述内环被设置成与所述基板支撑组件相邻，所述基板支撑组件包括非金属导电材料和沿所述内环的内径设置的凹口，其中所述凹口具有上升小于1200μm的垂直分量和在1300μm和2500μm之间延伸的水平分量；

外环，所述外环耦接到所述内环并且环绕所述内环的周边，其中所述外环包含石英材料；

至少一个热接触垫，所述至少一个热接触垫耦接到所述内环并且设置在形成于所述内环中的槽内；和

导电构件，所述导电构件耦接到所述外环。

17.如权利要求16所述的处理套件，其特征在于，每个热接触垫包含硅树脂材料。