[实用新型]一种PECVD双面沉积设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种PECVD双面沉积设备。

背景技术

在光伏太阳能行业，高效率PERC太阳能电池的制造要经过制绒，扩散，刻蚀，镀膜，丝网印刷，烧结和退火七大工序。其中，镀膜工序的目的是采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片背面镀氧化铝膜和氮化硅膜，以及在硅片正面镀氮化硅膜。

目前，光伏行业大多采用管式PECVD或板式PECVD对硅片单面镀氮化硅膜，操作员工将花篮中的硅片插入专门的石墨舟或石墨框里，或者通过自动上下料机将硅片插入石墨舟或石墨框，然后将石墨舟或石墨框放入炉管中镀膜。正面和背面的氮化硅膜沉积需要两次镀膜，工艺较繁复，且多次的沉积操作容易造成硅片的划伤，提高碎片率，不利于降低产品的不良率。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种PECVD双面沉积设备，可在硅片正反面同时沉积膜层，减少硅片的碎片率，提高生产效率。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种PECVD双面沉积设备，包括上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区，所述上料区、加热腔、工艺腔、降温区和下料区依次连接；所述工艺腔设有上通气板和下通气板，以及与上通气板和下通气板连通的气源装置；

所述上通气板和下通气板皆设有通气孔，上通气板和下通气板平行设置并在两板之间设有一条容纳硅片通行的通道；

上通气板或下通气板所在平面与水平面所成夹角为1-5度。

作为所述PECVD双面沉积设备的优选技术方案，所述上通气板设有100-500个通气孔，通气孔的直径为1-10mm；所述下通气板设有100-500个通气孔，通气孔的直径为1-10mm。

作为所述PECVD双面沉积设备的优选技术方案，所述上通气板的通气孔以方阵形式排列，通气孔的间距为1-10mm；所述下通气板的通气孔以方阵形式排列，通气孔的间距为1-10mm。

作为所述PECVD双面沉积设备的优选技术方案，所述上通气板的通气孔与下通气板的通气孔排列方式和间距相同。

作为所述PECVD双面沉积设备的优选技术方案，所述气源装置设有氨气气罐和硅烷气罐，氨气气罐和硅烷气罐与上通气板经导管连通；氨气气罐和硅烷气罐与下通气板经导管连通。

作为所述PECVD双面沉积设备的优选技术方案，通气孔设有第一通气孔和第二通气孔，第一通气孔与氨气气罐连通，第二通气孔与硅烷气罐连通。

作为所述PECVD双面沉积设备的优选技术方案，上通气板和下通气板由石英板材制成。

作为所述PECVD双面沉积设备的优选技术方案，上通气板和下通气板之间的距离为50-300mm。

实施本实用新型实施例，具有如下有益效果：

本实用新型所述PECVD双面沉积设备，在现有的PECVD设备的基础上改变工艺腔内的结构，使得硅片在上下两块通气板喷射气体的作用下，悬浮在两板之间，在高温高压的条件下，喷射出来的氨气和硅烷气体与硅片发生反应从而在硅片的正反面同时沉积氮化硅膜，减少重复沉积的次数，提高生产效率，降低碎片率；而且多次的沉积操作容易造成硅片表面的划伤，因此采用本实用新型PECVD双面沉积设备即可减少对硅片的损伤，提高产品合格率，产品性能更稳定可靠。

附图说明

图1是本实用新型一种PECVD双面沉积设备的结构示意图；

图2是本实用新型一种PECVD双面沉积设备的通气孔排列示意图；

图3是本实用新型一种PECVD双面沉积设备的另一通气孔排列示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。

现有PECVD设备将硅片放置在石墨舟上送进反应腔内，进气管道向反应腔内喷射反应气体，从而在硅片外露的一面镀上膜层。然而随着研究人员对太阳能电池性能的研究逐步深入，如PERC太阳能电池需要在硅片背面镀上氧化铝膜和氮化硅膜，硅片正面镀上氮化硅膜，由此，电池制备工艺中需进行三次沉积成膜，不仅步骤重复繁琐，且容易造成硅片的划伤，难以控制产品的不良率。