[实用新型]一种用于晶体硅太阳电池板式石墨框挂钩结构有效
申请号: | 201720186687.1 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN206574731U | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 焦哲 | 申请(专利权)人: | 隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/44;C23C16/54 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 张弘 |
地址: | 710018 陕西省西安市西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 晶体 太阳电池 板式 石墨 挂钩 结构 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域,特别涉及一种用于太阳电池板式石墨框挂钩结构。
背景技术
自1954年第一块太阳能电池诞生以来,晶体硅太阳能电池得到了广泛的应用,转换效率不断提升,生产成本持续下降。目前,晶体硅太阳能电池占太阳能电池全球市场总额的80%以上,全球年新增装机容量约50GW且增速明显,与火力发电的度电成本不断缩小,在未来几年有望与之持平。晶体硅太阳能电池作为一种清洁能源在改变能源结构、缓解环境压力等方面的重要作用日益凸显。
板式PECVD作为晶体硅太阳电池比较普遍采用的一种镀膜方式,在晶体硅太阳电池生产线上有着举足轻重的地位。晶体硅太阳能电池要想继续保持竞争力、获得更大的普及与应用,必须进一步降低生产成本,提高生产效率。目前急需解决的一个问题:板式PECVD的生产效率还不够高,停机宕机率还是比较多。
板式PECVD特别是下镀膜方式,他是一种靠多个挂钩将硅片悬挂在石墨框上进行镀膜方式。这种方式有一个最大的弊病就是硅片容易从挂钩上脱落,脱落以后就掉落到设备的工艺反应腔体内,然后阻塞特气气孔,干扰反应气流,造成镀膜异常,不合格品和返工。这样的话生产车间必须要降温开腔再把工艺反应腔里面掉落的硅片清除掉,之后再关闭腔体,加热升温之后才可以恢复正常。这种处理方法耗时久,操作复杂,劳动强度大,能耗大,生产效率很低。而目前对于掉片没有更好的解决方案。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供了一种用于太阳电池板式石墨框挂钩结构(下文称防掉片挂钩),在现有挂钩的结构基础上增加了防止掉片的功能,给板式PECVD生产效率提高带来非常大的进步。
为了实现上述任务,本实用新型采用以下技术措施:
一种用于晶体硅太阳电池板式石墨框挂钩结构,包括挂钩,挂钩的底部设置有防掉片结构,所述的防掉片结构包括连杆和挡片,连杆与挂钩的底部连接,挡片与连杆连接,所述的挡片以连杆为轴向两侧延伸设置,挡片与挂钩的位置上下对应。
所述的挡片一侧延伸的长度大于挂钩的长度。
所述的挡片为片状结构。
所述的挡片断面形状为直线状、针状、弯曲线型或圆弧。
所述的挂钩轴对称设置两个,挡片两侧延伸的部分分别与两个挂钩上下位置相对应。
所述挂钩的挂钩点与挡片之间的距离为5~8mm。
实用新型与现有技术相比,具有以下优点:
本实用新型通过设置外轮廓大于挂钩的防掉片结构,有效的解决硅片的掉落情况,采用防掉片挂钩的益处为:极大的降低了掉片的概率,减少了设备异常开腔,提高了板式PECVD的生产效率。大幅简化了操作流程。
进一步,回转体结构的防掉片结构,能够解决硅片任意位置掉落的问题,确保硅片不掉落到设备的工艺反应腔体内造成的阻塞现象。
尤其是,挂钩点与防掉片结构之间的距离最合理的值应该是5~8mm。该距离充分利用了微波绕射的原理。这个距离可以有效的避免优于等离子体遮挡对器件的性能造成影响。同时满足设备对石墨框整体厚度的要求。如果此距离太小优于对等离子体的遮挡作用该部分的镀膜厚度就会变低对器件性能造成影响。如果此距离太大。石墨框反复受热形变之后。总厚度将大于设备对石墨框的要求出现卡框的问题。
附图说明
图1是普通石墨矿挂钩局部剖面示意图;
图2是本实用新型防掉片挂钩结构局部剖面示意图;
图3是石墨框挂钩防止掉片的原理意图;
其中,1、挂钩;2、挡片;3、硅片;4、连杆。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作详细描述:
如图2所示,本实用新型一种用于晶体硅太阳电池板式石墨框挂钩结构,包括挂钩1,挂钩1的底部延伸设置有防掉片结构,所述的防掉片结构包括连杆4和挡片2,连杆4与挂钩1的底部连接,挡片2与连杆4连接,挡片2与挂钩1的位置上下对应。所述的挂钩1轴对称设置两个,所述的挡片2以连杆4为轴向两侧延伸设置,挡片两侧延伸的部分分别与两个挂钩上下位置相对应。挡片2一侧延伸出的长度大于挂钩1的长度。挡片2为片状结构。其断面形状为直线状、针状、弯曲线型或圆弧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的