[实用新型]一种用于老化测试的电路有效
申请号: | 201720185854.0 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN207020291U | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 邱水良 | 申请(专利权)人: | 东莞市旺达富自动化设备有限公司 |
主分类号: | G01R31/44 | 分类号: | G01R31/44 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司44215 | 代理人: | 肖冬 |
地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 老化 测试 电路 | ||
1.一种用于老化测试的电路,其特征在于:包括:
第一充放电控制电路,用于实现充电操作,所述第一充放电控制电路包括第一感应元器件、第一切换元器件以及第一开关元器件,所述第一感应元器件与第一切换元器件耦接,所述第一切换元器件与第一开关元器件耦接;
第二充放电控制电路,用于实现放电操作,所述第二充放电控制电路包括第二感应元器件、第二切换元器件以及第二开关元器件,所述第二感应元器件与第二切换元器件耦接,所述第二切换元器件与第二开关元器件耦接;
MCU电路,用于向第一切换元器件或者第二切换元器件发送控制信号,所述MCU电路包括MCU芯片。
2.根据权利要求1所述的一种用于老化测试的电路,其特征在于:所述MCU芯片的第十五管脚与接线端DYZH1耦接,所述MCU芯片的第十四管脚与接线端FZZH1耦接。
3.根据权利要求2所述的一种用于老化测试的电路,其特征在于:所述第一感应元器件为第一光耦元器件,第一光耦元器件的第一管脚耦接有第一电源;所述第一光耦元器件的第二管脚与接线端DYZH1耦接;所述第一光耦元器件的第三管脚耦接有第二电源;所述第一光耦元器件的第四管脚与第一开关元器件耦接。
4.根据权利要求3所述的一种用于老化测试的电路,其特征在于:所述第一切换元器件为N沟道MOS管Q101,N沟道MOS管Q101的栅极与第一光耦元器件的第四管脚耦接,所述N沟道MOS管Q101的栅极通过与电阻R103耦接后接地;所述N沟道MOS管Q101的源极接地;所述N沟道MOS管Q101的漏极与第一开关元器件耦接。
5.根据权利要求4所述的一种用于老化测试的电路,其特征在于:所述第一开关元器件为第一继电器,第一继电器的第一管脚与N沟道MOS管Q101的漏极耦接,所述第一继电器的第二管脚耦接有第二电源,所述第一继电器的第三管脚与接线端TYN1+耦接,所述第一继电器的第四管脚与接线端TYN1-耦接,所述第一继电器的第五管脚与接线端POWER1+耦接,所述第一继电器的第六管脚与接线端POWER1-耦接,所述第一继电器的第七管脚与接线端BAT1+耦接,所述第一继电器的第八管脚与接线端BAT1-耦接。
6.根据权利要求2所述的一种用于老化测试的电路,其特征在于:所述第二感应元器件为第二光耦元器件,第二光耦元器件的第五管脚耦接有第一电源;所述第二光耦元器件的第六管脚与接线端DYZH1耦接;所述第二光耦元器件的第七管脚耦接有第二电源;所述第二光耦元器件的第八管脚与第二开关元器件耦接。
7.根据权利要求6所述的一种用于老化测试的电路,其特征在于:所述第二切换元器件为N沟道MOS管Q102,N沟道MOS管Q102的栅极与电阻R105的另一端耦接,所述N沟道MOS管Q102的栅极通过与电阻R106耦接后接地;所述N沟道MOS管Q102的源极接地;所述N沟道MOS管Q102的漏极与第二开关元器件耦接。
8.根据权利要求7所述的一种用于老化测试的电路,其特征在于:所述第二开关元器件为第二继电器,第二继电器的第一管脚与N沟道MOS管Q102的漏极耦接,所述第二继电器的第二管脚耦接有第二电源,所述第二继电器的第三管脚与接线端BAT1+耦接,所述第二继电器的第四管脚与接线端BAT1-耦接,所述第二继电器的第五管脚与接线端FD-CH1+耦接,所述第二继电器的第六管脚与接线端FD-CH1-耦接,所述第二继电器的第七管脚与接线端LOAD1+耦接,所述第二继电器的第八管脚与接线端LOAD1-耦接。
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