[实用新型]多端口静态随机存取存储器设备、系统和电子设备

说明书

技术领域

本实用新型的实现方式和实施例涉及静态随机存取存储器(或SRAM)单元电路，并且更具体地涉及多端口静态随机存取存储器设备、系统和电子设备，即，包括专用读取和写入访问并且允许在同一读取/写入时钟周期中执行读取和写入操作的电路。

背景技术

具体地，由于在集成电路中不断下降的电源电压、随机掺杂剂波动(RDF)、随时间的劣化和老化、载流子迁移率波动、栅氧化层厚度波动和沟道宽度波动，优选采用不同的读取和写入辅助机制或技术，尤其是提供降低正电源电压Vdd、升高负电源电压Vss、升压字线并且升压负位线的写入辅助机制，以便确保对这些SRAM单元电路的稳健可写性。

然而，这些写入辅助机制一般永久地大规模应用于例如静态随机存取存储器的所有SRAM单元电路，由此永久地增加特别是所述静态随机存取存储器的消耗或动态功率。

此外，SRAM单元电路对于正电源电压Vdd的下降比其他标准逻辑门敏感得多，因为这个电压Vdd对SRAM单元电路中的每个晶体管的正确运行至关重要。

因此，由于降低SRAM单元电路的动态功率(消耗)的目的而降低用于这些SRAM单元电路的电源电压Vdd可能是不利的。

实用新型内容

因此，根据一种实现方式和实施例，提出了一种具有低复杂度并且使用小面积的硅以便降低多端口SRAM单元电路的动态功率同时确保对电路的稳健可写性的技术方案。

根据第一方面，提出了一种用于对多端口静态随机存取存储器设备进行自动校正写入的方法，该多端口静态随机存取存储器设备包括至少一个多端口静态随机存取存储器单元电路。该方法包括以下步骤：

向该电路写入第一数据；

在写入之后读取存储在该电路中的第二数据；

将该第一与第二数据进行对比；以及

取决于该对比的结果，有可能通过应用写入辅助机制向该电路重写该第一数据。

这种方法有利地允许对写入到电路的结果进行监测并且仅当需要时通过应用所述机制执行自动校正重写。

换句话说，这种方法允许在不需要时将所述机制的应用解除激活，在大多数情况下通常如此，从而减少电路的消耗(动态功率)。

此外，因为所述设备的每个电路都可以独立地应用该机制，所以这种多端口静态随机存取存储器设备的动态消耗因此可以进一步地充分降低，并且如果所述存储器设备包括大量单元电路则甚至就降低更多。

有利地，所述写入该第一数据的步骤和所述读取该第二数据的步骤可以在同一写入时钟周期中执行。

根据一种实现方式，如果该第一数据和该第二数据完全相同，则不执行通过应用所述写入辅助机制进行重写的所述步骤，该写入辅助机制用于辅助对该电路写入。

根据另一种实现方式，如果该第一与第二数据不同，则通过应用该写入辅助机制执行向该电路进行重写该第一数据的所述步骤，从而使该第一数据和该第二数据相对应。

因此，对该静态随机存取存储器单元电路的写入通过应用该写入辅助机制而被自动校正。这种方法有利地确保了该第一和第二数据完全相同。

可以使用任何写入辅助机制。因此，通过非限制示例的方式，写入辅助机制可以包括向所述电路的写入位线施加负电压。

通常，该存储器设备有利地包括被安排成多行和多列的多个单元的矩阵平面，这些列平行于写入位线，并且该写入辅助机制被应用于耦接至同一列的所有单元电路的这些位线。

根据另一个方面，提出了一种多端口静态随机存取存储器设备，该多端口静态随机存取存储器设备包括至少一个多端口静态随机存取存储器单元电路。所述设备包括：

写入装置，所述写入装置被配置成用于向该电路写入第一数据；

读取装置，该读取装置被配置成用于在写入该第一数据之后读取存储在该电路中的第二数据；

对比装置，该对比装置被配置成用于将该第一与第二数据进行对比；以及

处理装置，该处理装置被配置成用于取决于该对比的结果而应用或不应用写入辅助机制。

该写入装置另外被配置成用于如果需要则通过应用所述写入辅助机制向该电路重写该第一数据。

该写入装置和该读取装置另外可以被配置成用于在同一写入时钟周期中分别写入该第一数据和读取该第二数据。

根据一个实施例，如果该第一数据和该第二数据完全相同，则该处理装置被配置成不应用该写入辅助机制。