[实用新型]一种过压保护设备

权利要求书

1.一种保护免受静电放电的设备(20)，其特征在于，所述设备依次包括：

第一导电类型的极重掺杂半导体衬底(22)；

第二导电类型的第一重掺杂掩埋半导体层(24)；

所述第二导电类型的第一轻掺杂半导体层(28)；以及

所述第一导电类型的第二重掺杂层(30)，

这种设备(20)进一步包括：在所述第一重掺杂掩埋半导体层(24)与所述第一轻掺杂半导体层(28)之间的、所述第一导电类型的第三掺杂层(26)，所述第三掺杂层具有能够在所述第一轻掺杂半导体层(28)与所述第三掺杂层(26)的结处形成具有反向穿通操作的二极管(12)的厚度和掺杂剂原子浓度。

2.如权利要求1所述的设备(20)，其特征在于，所述第一重掺杂掩埋半导体层(24)、所述第三掺杂层(26)、所述第一轻掺杂半导体层(28)以及所述第二重掺杂层(30)堆叠在所述衬底(22)的第一部分(A)上，其中，所述衬底(22)进一步包括第二区域(B)，所述第二区域支撑：

所述第一导电类型的第二重掺杂半导体掩埋层(33)；

所述第二导电类型的第四轻掺杂半导体层(34)；以及

所述第一导电类型的第五重掺杂半导体层(36)。

3.如权利要求1所述的设备(20)，其特征在于，所述第三掺杂层(26)具有在0.5μm至3μm范围内的厚度，足够薄以避免影响雪崩中的电路操作。

4.如权利要求1所述的设备(20)，其特征在于，所述第三掺杂层(26)具有在5×10¹⁴至5×10¹⁶个原子/cm³范围内的最大掺杂剂原子浓度。

5.如权利要求2所述的设备(20)，其特征在于，所述第一轻掺杂半导体层(28)和所述第四轻掺杂半导体层(34)同时形成。

6.如权利要求1所述的设备(20)，其特征在于，所述第一轻掺杂半导体层(28)通过外延形成。

7.如权利要求2所述的设备(20)，其特征在于，第一触点金属喷镀(42)位于所述第二重掺杂层(30)上，并且第二触点金属喷镀(42)位于所述第五重掺杂半导体层(36)上。

8.一种保护免受可能发生在待保护电路的第一输入/输出端子(IO1)上的静电放电的电路(10)，其特征在于，所述保护电路(10)包括串联在所述端子(IO1)与参考端子(GND)之间的：

第一正向二极管(3)；

反向二极管(12)，所述反向二极管具有穿通操作；

第二正向二极管(14)；以及

第一二极管(5)，所述第一二极管具有反向控制的雪崩电压。

9.如权利要求8所述的电路(10)，其特征在于，进一步包括串联在所述待保护电路的第二输入/输出端子(IO2)与所述参考端子(GND)之间的：

第三正向二极管(7)；以及

第二二极管(9)，所述第二二极管具有反向控制的雪崩电压。