[实用新型]一种LED芯片及汽车车灯

说明书

技术领域

本实用新型涉及了一种LED芯片和汽车车灯。

背景技术

现今的蓝光LED（发光二极管）芯片大多都是以蓝宝石为衬底，并在其上制作多层结构后形成。此结构的特点是正负两个电极在同一侧， 芯片的一部分从表面P型GaN层刻蚀至N型GaN层，在此区域上制作N电极。

这种结构的LED芯片的电极位于同一侧，光从MQW中产生并从芯片电极这一面发出。但是由于芯片的负电极在制作过程中将部分的芯片从P型GaN层刻蚀至N型GaN层，刻蚀过程同样也刻蚀掉了MQW，这块被刻蚀掉的区域也就没有了发光源，因此，此处被刻蚀掉的区域没有发光效果，发光面积相应就变少了。单位面积上的芯片，发光面积越小，光子复合的场所就少，发光效率就越低。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决上述现有技术存在的问题之一，提供一种新型的LED芯片。该LED芯片增加了双电极芯片的发光区面积，使芯片发光面面积最大化，提高了芯片的发光效率。

根据本实用新型实施例提供的一种LED芯片，包括依次设置的衬底层、缓冲层、N型层、量子阱层和P 型层，还包括P电极和N电极，所述N电极包括N电极本体和N电极的电极延长线，所述P电极和N电极本体均设于所述LED芯片的表面，所述LED芯片上设有从P型层刻蚀到N型层的切割道，所述N电极的电极延长线设于所述切割道中与所述N型层相连。

根据本实用新型的一个实施例，所述P型层表面制备有电流扩散层，所述P电极设于所述电流扩散层上。

根据本实用新型的一个实施例，所述切割道为包括两侧壁和一底面的沟槽。

根据本实用新型的一个示例，所述LED芯片表面沉积有一层绝缘保护层，所述P电极穿过所述绝缘保护层和所述电流扩散层接触，所述N电极本体位于所述绝缘保护层之上。

根据本实用新型的一个示例，所述切割道的侧壁设有一层绝缘保护层，所述绝缘保护层将所述N电极的电极延长线与所述切割道的侧壁隔开。

优选的，所述衬底层以蓝宝石为衬底，所述N型层、量子阱层和P 型层为GaN基外延片。

优选的，所述切割道的刻蚀深度为1-1.5um，刻蚀宽度为20-25um。

优选的，所述电流扩散层为ITO电流扩散层。

优选的，所述电流扩散层的厚度为100-200um。

根据本实用新型提供的一种汽车车灯，所述车灯中设有如上任一项所述的LED芯片。

根据本实用新型实施例提供的一种LED芯片，通过设置从P型层刻蚀到N型层的切割道，将所述N电极的电极延长线制作于所述切割道中，使得该LED芯片增加了双电极芯片的发光区面积，使芯片发光面面积最大化，提高了芯片的发光效率。

附图说明

图1是本实用新型提供的该LED芯片的截面图。

图2是本实用新型提供的该LED芯片的正面俯视图。

具体实施方式

为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

以下结合附图1和2对本实用新型进行具体的说明。

如图1和图2所示，根据本实用新型实施提供例的一种LED芯片，包括依次设置的衬底层1、缓冲层2、N型层3、量子阱层4和P 型层5，还包括P电极6和N电极8，所述N电极8包括N电极本体和N电极的电极延长线，所述P电极6和N电极本体均设于所述LED芯片的表面，所述LED芯片上设有从P型层5刻蚀到N型层3的切割道10，所述N电极8的电极延长线设于所述切割道10中与所述N型层3相连。

需要说明的是，如图1所示，该LED芯片的负电极（N电极8）与正电极（P电极6）几乎在同一水平高度，分布于芯片结构的表面，特别的是，负电极下方未和芯片直接电接触，而是靠负电极的电极延长线与切割道10电连接。负电极根据芯片结构需要，可以设计成不同长短和宽度的延长线，负电极的接触部分面积大小与常规芯片类似，后续封装仍然是焊接在负电极接触部分。