[实用新型]晶体管及电子电路

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

覆盖有绝缘栅的第一导电类型的准本征区域；

与所述准本征区域接触的两个第二导电类型的第一掺杂区域，其中，所述准本征区域在所述两个第一掺杂区域之间延伸；

安排在所述两个第一掺杂区域中的每一者上的主电极；

所述第二导电类型的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域与所述准本征区域接触但是与所述两个第一掺杂区域中的每一者电分离且物理分离，以及

安排在所述第二掺杂区域上的控制电极。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管安排在绝缘体上半导体结构的绝缘体层上。

3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述准本征区域是条形的，包括一对长边，所述长边各自与所述两个第一掺杂区域之一接触，并且其中，所述第二掺杂区域包括与所述准本征区域的所述长边接触的两个电连接部分。

4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述准本征区域是条形的，包括一对长边，所述长边各自与所述两个第一掺杂区域之一接触，并且其中，所述第二掺杂区域与所述准本征区域的短边接触。

5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述准本征区域具有叉形，包括：

柄；

两个分支；以及

在所述柄与所述两个分支之间的连接部分；

其中，所述柄的一部分在所述两个第一掺杂区域之间延伸；并且

其中，所述第二掺杂区域在所述两个分支之间延伸，其中，所述第二掺杂区域与所述两个分支中的每一者接触并且与所述连接部分接触。

6.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述绝缘体层安排在设有偏置触点的所述第二导电类型的半导体衬底上。

7.如权利要求6所述的晶体管，其特征在于，所述绝缘体层具有小于30nm的厚度。

8.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第二掺杂区域与所述两个第一掺杂区域在物理分离小于500nm的距离。

9.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述准本征区域的厚度小于20nm。

10.一种电子电路，其特征在于，包括：

晶体管，所述晶体管包括：

覆盖有绝缘栅的第一导电类型的准本征区域；

与所述准本征区域接触的两个第二导电类型的第一掺杂区域，其中，所述准本征区域在所述两个第一掺杂区域之间延伸；

安排在所述两个第一掺杂区域中的每一者上的主电极；

所述第二导电类型的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域与所述准本征区域接触但是与所述两个第一掺杂区域中的每一者电分离且物理分离，以及

安排在所述第二掺杂区域上的控制电极；

其中，所述第一导电类型是N型；以及

用于控制所述晶体管的电路，所述电路被配置成用于在每个所述主电极与所述绝缘栅之间施加大于0.5V的电压并且在所述控制电极与所述绝缘栅之间施加大于1V的电压。

11.一种电子电路，其特征在于，包括：

晶体管，所述晶体管包括：

覆盖有绝缘栅的第一导电类型的准本征区域；

与所述准本征区域接触的两个第二导电类型的第一掺杂区域，其中，所述准本征区域在所述两个第一掺杂区域之间延伸；

安排在所述两个第一掺杂区域中的每一者上的主电极；

所述第二导电类型的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域与所述准本征区域接触但是与所述两个第一掺杂区域中的每一者电分离且物理分离，以及

安排在所述第二掺杂区域上的控制电极；

其中，所述第一导电类型是P型；以及

用于控制所述晶体管的电路，所述电路被配置成用于在所述绝缘栅与每个所述主电极之间施加大于0.5V的电压并且在所述绝缘栅与所述控制电极之间施加大于1V的电压。