[实用新型]阵列基板及具有该阵列基板的显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及TFT-LCD显示器技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及具有该阵列基板的显示装置。

背景技术

全反射显示器需要高反射率的像素电极，在高世代薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)产线中，通常采用纯铝(AL)或纯铜(Cu)制程(电阻率低)。承上，在现有铝制程产线中，设计全反射显示产品，存在例如铝容易氧化、铝和氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称ITO)接触问题等工艺限制。如果采用现有工艺的“钼/铝/钼”的结构，即以钼(Mo)为反射面，则存在反射率低的问题，无法满足全反射显示器需要较高反射率的像素电极的要求。

实用新型内容

本实用新型的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种克服现有工艺限制且金属像素电极反射率高的阵列基板。

本实用新型的另一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种具有上述阵列基板的显示装置。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

根据本实用新型的一个方面，提供一种阵列基板，其包括透明衬底、绝缘介质层以及金属像素电极，所述绝缘介质层设于所述透明衬底一侧，所述金属像素电极包括第一层和第二层，且依次设于所述绝缘介质层的远离所述透明衬底的一侧，所述第二层的反射率大于所述第一层。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述金属像素电极的第一层材质为钼，第二层材质为铝。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述阵列基板还包括源极和漏极，所述源极和漏极与所述金属像素电极同层形成，而设于所述绝缘介质层的远离所述透明衬底的一侧。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述阵列基板还包括数据线，所述数据线设于所述绝缘介质层远离所述透明衬底的一侧，所述数据线具有连接端，所述连接端包括第一层和第二层，且依次设于所述绝缘介质层的远离所述透明衬底的一侧，所述第二层的反射率大于所述第一层。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述连接端的第一层材质为钼，第二层材质为铝。

根据本实用新型的其中一个实施方式，其还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层设于所述绝缘介质层远离所述透明衬底的一侧，且覆盖所述金属像素电极。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述阵列基板还包括数据线，所述数据线设于所述绝缘介质层远离所述透明衬底的一侧，所述数据线具有连接端，所述绝缘保护层上开设有对应于所述连接端的引线过孔，所述连接端包括第一层和第二层，且依次设于所述绝缘介质层的远离所述透明衬底的一侧，所述第二层的反射率大于所述第一层，所述引线过孔过度刻蚀于所述连接端的第二层，所述引线过孔设有导电膜。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述阵列基板还包括公共线，所述公共线设于所述透明衬底临近所述绝缘介质层的一侧，所述绝缘保护层上开设有对应于所述公共线的公共线过孔，所述公共线过孔过度刻蚀于所述公共线，所述公共线过孔设有导电膜。

根据本实用新型的其中一个实施方式，所述导电膜的材质为钼。

根据本实用新型的另一个方面，提供一种显示装置，其具有阵列基板，其中，所述显示装置的阵列基板所述的阵列基板。

由上述技术方案可知，本实用新型提出的阵列基板及具有该阵列基板的显示装置的优点和积极效果在于：

本实用新型提出一种阵列基板，通过其金属像素电极采用两层的结构，替代现有工艺的“钼/铝/钼”的结构，即利用反射率较高的第一层作为反射面，提升了金属像素电极的反射率，使其满足全反射显示器对其像素电极所需的高反射率的要求。同时，上述结构能够克服现有纯铝制程产线中存在的工艺限制，无需设置氧化铟锡层，避免氧化铟锡与铝的直接接触而导致的势垒大、电阻高的问题，使铝不易氧化，解决铝和氧化铟锡的接触问题。

附图说明

通过结合附图考虑以下对本实用新型的优选实施方式的详细说明，本实用新型的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本实用新型的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：

图1是根据一示例性实施方式示出的一种阵列基板的局部平面视图；

图2a～图2g是图1示出的阵列基板的制造工艺流程示意图；

图3是根据一示例性实施方式示出的一种显示装置的局部剖视示意图。

其中，附图标记说明如下：

100.阵列基板；

110.透明衬底；